[發(fā)明專利]氧化被膜的形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210345479.3 | 申請日： | 2012-09-12 |
| 公開（公告）號： | CN102995089A | 公開（公告）日： | 2013-03-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 石榑文昭;稻吉榮;石川裕一;佐藤洋志 | 申請（專利權(quán)）人： | 日本愛發(fā)科泰克能株式會社 |
| 主分類號： | C25D11/12 | 分類號： | C25D11/12 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氧化 形成 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種氧化被膜的形成方法，其特征在于，在通過將鋁或鋁合金構(gòu)成的厚度1mm以上的被處理物的一部分浸漬在電解液中進行微電弧氧化處理形成氧化被膜后，在形成了上述氧化被膜的部位與其他部位的邊界處不設(shè)置掩蔽材料，將形成了上述氧化被膜的部位和其他部位浸漬在上述電解液中進行微電弧氧化處理，由此，在上述其他部位形成氧化被膜。
2.權(quán)利要求1所述的氧化被膜的形成方法，其特征在于，從上述被處理物的前端側(cè)依次形成上述氧化被膜。
3.權(quán)利要求1或2所述的氧化被膜的形成方法，其特征在于，上述微電弧氧化處理時的電流密度為1～6A/dm2。
4.權(quán)利要求1～3任一項所述的氧化被膜的形成方法，其特征在于，上述微電弧氧化處理時的電流密度為1～4A/dm2。
5.權(quán)利要求1～4任一項所述的氧化被膜的形成方法，其特征在于，在整個上述氧化被膜的形成過程中，上述電解液的溫度為-10℃～65℃的范圍。
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