[發(fā)明專利]一種黑硅結(jié)構(gòu)及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210344396.2
• 申請日: 2012-09-18
• 公開（公告）號: CN102842651A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李世彬;張鵬;吳志明;蔣亞東
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/028
• 代理公司: 成都行之專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51220
• 代理人: 譚新民

1.一種制造黑硅結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，包括：

獲取P型硅襯底；

在所述P型硅襯底上形成黑硅層；

在所述黑硅層中摻入受主雜質(zhì)，形成摻雜的黑硅層。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述P型硅襯底上形成黑硅層包括：使用反應(yīng)離子刻蝕法、飛秒激光法、電化學(xué)腐蝕法或者濕法刻蝕法在所述P型硅襯底上形成所述黑硅層。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述黑硅層中摻入受主雜質(zhì)包括：使用離子注入法向所述黑硅層中注入受主雜質(zhì)離子。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述受主雜質(zhì)為硼、鋁、鎵或者銦。

5.如權(quán)利要求1至4中任意一項所述的方法，其特征在于，還包括：在所述摻雜的黑硅層上和所述P型硅襯底上形成電極。

6.如權(quán)利要求1至4中任意一項所述的方法，其特征在于，還包括：在所述摻雜的黑硅層上形成勢壘層。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于：所述勢壘層是氮化硅層或者氧化硅層。

8.一種黑硅結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

P型硅襯底；

摻雜的黑硅層，所述摻雜的黑硅層形成在所述P型硅襯底上，其中所述摻雜的黑硅層中摻入了受主雜質(zhì)。

9.如權(quán)利要求8所述的黑硅結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括勢壘層，所述勢壘層形成在所述摻雜的黑硅層上。

10.如權(quán)利要求8或者9所述的黑硅結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述受主雜質(zhì)為硼、鋁、鎵或者銦。