[發明專利]一種LED芯片及制備方法

在審

• 申請號: 201210343559.5
• 申請日: 2012-09-17
• 公開（公告）號: CN103682010A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 謝春林;張旺
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種LED芯片，其特征在于，所述芯片包括襯底，襯底之上依次形成的緩沖層、n型氮化物層、發光層、p型氮化物層和導電層，所述p型氮化物層與導電層相接觸的表面上分布有坑狀結構，所述坑狀結構位于p型氮化物層上，所述坑狀結構內覆蓋具有絕緣特性的阻擋層。

2.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述阻擋層的材料為SiN_x或SiO₂。

3.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述坑狀結構垂直方向的截面為“V”型。

4.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述坑狀結構的深度為5～50nm。

5.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，還包括：形成在發光層和p型氮化物層之間的AlGaN阻擋層。

6.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述緩沖層包括：第一本征氮化鎵層和形成在第一本征氮化鎵層之上的第二本征氮化鎵層。

7.如權利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述第一本征氮化鎵層為在500～600℃下生長的本征氮化鎵層，所述第二本征氮化鎵層為在1000～1100℃下生長的本征氮化鎵層。

8.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述p型氮化物層包括：鎂摻雜p型氮化鎵和重摻雜p型氮化銦鎵。

9.一種LED芯片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底；

在襯底上形成緩沖層；

在緩沖層上形成n型氮化物層；

在n型氮化物層上形成發光層；

在發光層上形成p型氮化物層；

對p型氮化物層表面進行化學腐蝕，形成坑狀結構；

在所述坑狀結構內形成具有絕緣特性的阻擋層；

在p型氮化物層具有坑狀結構的表面上形成導電層。

10.如權利要求9所述的一種LED芯片的制備方法，其特征在于，在所述坑狀結構內形成具有絕緣特性的阻擋層，包括：

采用蒸鍍的方法在p型氮化物層表面覆蓋形成具有絕緣特性的阻擋層；

采用ICP蝕刻的方法刻蝕阻擋層至暴露出p型氮化物層，并保留所述坑狀結構內的阻擋層。

11.如權利要求9所述的一種LED芯片的制備方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為SiN_x或SiO₂。

12.如權利要求9所述的一種LED芯片的制備方法，其特征在于，在襯底上形成緩沖層，包括：

在襯底上形成第一本征氮化鎵層；

在第一本征氮化鎵層之上形成第二本征氮化鎵層。

13.如權利要求12所述的一種LED芯片的制備方法，其特征在于，所述第一本征氮化鎵層為在500～600℃下生長的本征氮化鎵層，所述第二本征氮化鎵層為在1000～1100℃下生長的本征氮化鎵層。

14.如權利要求9所述的一種LED芯片的制備方法，其特征在于，在發光層上形成p型氮化物層，包括：

在發光層之上形成鎂摻雜p型氮化鎵；

在鎂摻雜p型氮化鎵之上形成重摻雜p型氮化銦鎵。

15.如權利要求9所述的一種LED芯片的制備方法，其特征在于，還包括：在發光層和p型氮化物層之間形成AlGaN阻擋層。