[發明專利]一種光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測穩定性的監控方法

有效

• 申請號: 201210343464.3
• 申請日: 2012-09-17
• 公開（公告）號: CN102867762A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 朱陸君;倪棋梁;陳宏璘
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

技術領域

本發明涉及一種量測晶圓檢測機臺穩定性和精確性的監控方法，尤其涉及一種光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測穩定性的監控方法。??

背景技術

隨著集成電路工藝的發展和檢測機臺性能的不斷提高，工廠開始重視檢測晶圓邊緣的缺陷情況。現行的一種快速有效的工藝步驟品質監控方法是利用CV300R檢測機臺對經過邊緣曝光和邊膠去除程序后的晶圓邊緣進行缺陷檢測。因此，保證檢測機臺自身的穩定性和精確性顯得至關重要。但是，目前業內CV300R檢測機臺采用的自身檢測方法過于簡單，不能實際反映檢測機臺自身的穩定性和精確性。

已有的CV300R檢測機臺采用的自身檢測方法是通過使用與檢測機臺匹配的標準片，該標準片的正面、側面和背面均包含一定數目的粒子，粒子在晶圓表面不能移動。檢測機臺通過日常檢測獲得該標準片的正面、側面和背面大小為1um的粒子總數目,將測量得到的1um的粒子數值與1um的粒子基準數目進行比較，比較所得的比值結果在（90%，110%）之間時表示檢測機臺符合標準，檢測機臺可以正常使用。但是，這種檢測方法下所得的檢測結果只能大致反映檢測機臺對顆粒狀缺陷的捕捉能力，而無法體現出對于硅片邊緣的厚度檢測的穩定性。

發明內容

針對上述存在的問題，本發明的目的提供一種光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測穩定性的監控方法，通過選取標準片，在標準片上按規定標注刻度，將某一刻度處的數值設為參照數，與標準片經檢測機臺量測此刻度后所得的數值進行對比，通過對比值量測檢測機臺自身的穩定性和精確性。?

本發明的目的是通過下述技術方案實現的：

一種光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測穩定性的監控方法，其中，包括以下步驟：

步驟1：選取一裸晶圓；

步驟2：以所述裸晶圓邊緣處為起點，分別從0°、80°、180°和270°四個角度到所述裸晶圓中心位置的0-5000μm距離內，以1000μm為單位在所述裸晶圓上標注刻度線；

步驟3:?以所述裸晶圓上的所述四個角度標注的刻度線上的各3000μm處為參照點，所述參照點分別為第一參照點、第二參照點、第三參照點、第四參照點；?

步驟4：分別計算經檢測后的所述裸晶圓上在所述第一參照點、第二參照點、第三參照點、第四參照點處得到的測量值，所述測量值對應分別為第一測量值、第二測量值、第三測量值、第四測量值；

步驟5：計算所述第一參照點與所述第一測量值、所述第二參照點與所述第二測量值、所述第三參照點與所述第三測量值、所述第四參照點與所述第四測量值的差值。

上述的光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測穩定性的監控方法，其中，將步驟1中所選的所述裸晶圓作為量測檢測機臺穩定性和精確性的標準片。?

上述的光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測穩定性的監控方法，其中，步驟2中所述裸晶圓邊緣處的刻度為0。?

上述的光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測穩定性的監控方法，其中，步驟2中所述裸晶圓上的刻度從邊緣處至中心位置方向遞增。

上述的光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測穩定性的監控方法，其中，步驟2中在所述裸晶圓邊緣處選擇任意一點，設所述任意一點到所述裸晶圓中心位置的方向為起始度0°，所述80°、180°和270°分別以所述0°為基準測量。

上述的光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測穩定性的監控方法，其中，步驟4中的檢測機臺為CV300R。?

上述的光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測穩定性的監控方法，其中，步驟5中計算得出的四個差值的絕對值均小于20μm，則檢測機臺的穩定性和精確性符合標準。?

本發明的有益效果是利用標準片上若干同一位置在按規定標注所得的刻度值與經檢測機臺測量所得的刻度值對比，依據所得的對比值量測檢測機臺自身的穩定性和精確性，本發明有利于提高晶圓缺陷檢測的精確率，從而降低晶圓報廢率，提高生產效益。??

附圖說明

圖1是本發明的一種光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測穩定性的監控方法的流程示意圖。?

具體實施方式

下面結合原理圖和具體操作優選方案對本發明作進一步說明。

結合圖1中所示，一種光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測穩定性的監控方法，其中，包括以下步驟：

步驟1：選取一裸晶圓1；

在本發明的一個優選方案中，此步驟中所選的裸晶圓1作為量測檢測機臺穩定性和精確性的標準片。?