[發(fā)明專利]一種光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測穩(wěn)定性的監(jiān)控方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210343464.3 | 申請日: | 2012-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN102867762A | 公開(公告)日: | 2013-01-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 朱陸君;倪棋梁;陳宏璘 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光刻 晶圓洗邊 去除 穩(wěn)定性 監(jiān)控 方法 | ||
1.一種光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測穩(wěn)定性的監(jiān)控方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1:選取一裸晶圓;
步驟2:以所述裸晶圓邊緣處為起點,分別從0°、80°、180°和270°四個角度到所述裸晶圓中心位置的0-5000μm距離內,以1000μm為單位在所述裸晶圓上標注刻度線;
步驟3:?以所述裸晶圓上的所述四個角度標注的刻度線上的各3000μm處為參照點,所述參照點分別為第一參照點、第二參照點、第三參照點、第四參照點;?
步驟4:分別計算經檢測后的所述裸晶圓上在所述第一參照點、第二參照點、第三參照點、第四參照點處得到的測量值,所述測量值對應分別為第一測量值、第二測量值、第三測量值、第四測量值;
步驟5:計算所述第一參照點與所述第一測量值、所述第二參照點與所述第二測量值、所述第三參照點與所述第三測量值、所述第四參照點與所述第四測量值的差值。
2.根據(jù)權利要求1所述的光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測穩(wěn)定性的監(jiān)控方法,其特征在于,將步驟1中所選的所述裸晶圓作為量測檢測機臺穩(wěn)定性和精確性的標準片。
3.根據(jù)權利要求1所述的光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測穩(wěn)定性的監(jiān)控方法,其特征在于,步驟2中所述裸晶圓邊緣處的刻度為0。
4.根據(jù)權利要求1所述的光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測穩(wěn)定性的監(jiān)控方法,其特征在于,步驟2中所述裸晶圓上的刻度從邊緣處至中心位置方向遞增。
5.根據(jù)權利要求1所述的光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測穩(wěn)定性的監(jiān)控方法,其特征在于,步驟2中在所述裸晶圓邊緣處選擇任意一點,設所述任意一點到所述裸晶圓中心位置的方向為起始度0°,所述80°、180°和270°分別以所述0°為基準測量。
6.根據(jù)權利要求1所述的光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測穩(wěn)定性的監(jiān)控方法,其特征在于,步驟4中的檢測機臺為CV300R。
7.根據(jù)權利要求1所述的光刻晶圓洗邊和邊膠去除量測穩(wěn)定性的監(jiān)控方法,其特征在于,步驟5中計算得出的四個差值的絕對值均小于20μm,則檢測機臺的穩(wěn)定性和精確性符合標準。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





