[發明專利]光子集成芯片匹配電路的三維封裝裝置

有效

• 申請號: 201210342284.3
• 申請日: 2012-09-14
• 公開（公告）號: CN102856302A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 祝寧華;王佳勝;劉建國;劉宇
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L23/58
• 分類號: H01L23/58;H01L23/66;H01L23/367
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種光子集成芯片匹配電路的三維封裝裝置，其特征在于，包括：

一第一載體基片(1)；

一第一微波傳輸線陣列(2)，蒸鍍在該第一載體基片(1)的上表面，用于給光子集成芯片提供偏置電壓和高頻調制信號；

一第二載體基片(3)，與該第一載體基片(1)垂直或成一定角度，形成三維立體結構；

一第二微波傳輸線陣列(4)，蒸鍍在該第二載體基片(3)的下表面，且與該第一微波傳輸線陣列(2)的電極相匹配并進行焊接或燒結；

一電極陣列(5)，蒸鍍在該第二載體基片(3)的一個側面或相對的兩個側面；以及

一微波電路(6)。

2.如權利要求1所述的光子集成芯片匹配電路的三維封裝裝置，其特征在于，其中該第一載體基片(1)和該第二載體基片(3)采用的材料是氮化鋁、氮化鈹、氧化鋁、金剛石、氧化鈹或碳化硅。

3.如權利要求1所述的光子集成芯片匹配電路的三維封裝裝置，其特征在于，其中該第一微波傳輸線陣列(2)和該第二微波傳輸線陣列(4)中的傳輸線單元采用的是共面波導或微帶傳輸線。

4.如權利要求1所述的光子集成芯片匹配電路的三維封裝裝置，其特征在于，其中該電極陣列(5)的邊緣幾何尺寸與該第二微波傳輸線陣列(4)中的信號電極陣列相連接并過渡。

5.如權利要求1所述的光子集成芯片匹配電路的三維封裝裝置，其特征在于，其中該微波電路(6)是阻抗匹配電路、直流偏置電路或其他微波封裝電路。