[發(fā)明專利]一種應(yīng)變硅淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210342100.3
• 申請(qǐng)日: 2012-09-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102881628A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾紹海;左青云;李銘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海集成電路研發(fā)中心有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762
• 代理公司: 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種應(yīng)變硅淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

????步驟S01：提供一半導(dǎo)體襯底，且在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成有襯墊氧化層和氮化硅層；

????步驟S02：采用刻蝕工藝在所述襯墊氧化層、氮化硅層和半導(dǎo)體襯底所形成層疊結(jié)構(gòu)中形成淺溝槽；其中，所述淺溝槽的底部位于所述襯底中；

????步驟S03：在所述淺溝槽側(cè)壁、底部以及氮化硅層表面形成保護(hù)層；

????步驟S04：在表面形成有保護(hù)層的所述淺溝槽內(nèi)沉積應(yīng)變摻碳氧化硅層以形成隔離介質(zhì)層；

????步驟S05：去除所述淺溝槽外的隔離摻碳氧化硅，以及所述氮化硅層上表面形成的保護(hù)層，從而形成應(yīng)變硅淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)變硅淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述步驟S02具體包括：

????步驟S021：在所述襯墊氧化層和氮化硅層內(nèi)形成暴露出所述襯底的開(kāi)口；

????步驟S022：沿所述開(kāi)口刻蝕至所述襯底中形成淺溝槽。

3.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)變硅淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，沉積所述應(yīng)變摻碳氧化硅層采用離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝生成。

4.如權(quán)利要求3所述的應(yīng)變硅淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，沉積所述應(yīng)變摻碳氧化硅的工藝溫度為300℃~400℃，反應(yīng)氣體為硅烷、甲烷和氧氣的混合體。

5.如權(quán)利要求4所述的應(yīng)變硅淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述沉積摻碳氧化硅的工藝溫度為350℃。

6.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)變硅淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述摻碳氧化硅的含碳量大于等于1%。

7.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)變硅淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述步驟S05中，采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝去除所述淺溝槽外的摻碳氧化硅以及所述氮化硅層表面形成的保護(hù)層。

8.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)變硅淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述應(yīng)變硅淺溝槽中的所述應(yīng)變摻碳氧化硅層的上表面與所述氮化硅層表面平齊。

9.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)變硅淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在步驟S02中，所述的刻蝕工藝為等離子刻蝕工藝。

10.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)變硅淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，沉積所述襯墊氧化層、氮化硅層和所述保護(hù)層的工藝為化學(xué)氣相沉積工藝。