[發明專利]一種管腳跨導值恒定的驅動電路

無效

• 申請號: 201210340974.5
• 申請日: 2012-09-16
• 公開（公告）號: CN103684417A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 余力;桑園;吳勇
• 申請（專利權）人: 鄭州單點科技軟件有限公司
• 主分類號: H03K19/094
• 分類號: H03K19/094
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種管腳跨導值恒定的驅動電路。

背景技術

在器件的管腳，特別是輸出管腳，根據負載的不同其表現的跨導值會有所不同，在電路其他參數（例如收溫度影響和電磁影響后的電流、電壓、響應等）會有變化，影響整個負載電路的電路參數，嚴重的會影響到該管腳對負載的驅動能力。

發明內容

本發明的發明目的在于：針對上述存在的問題，提供一種能管腳跨導值恒定的驅動電路。

本發明采用的技術方案是這樣的：一種管腳跨導值恒定的驅動電路，該電路連接至器件管腳，所述電路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管和電阻。所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管為參數相同的PMOS管，所述第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管為參數相同的NMOS管。

所述第一PMOS管的源極接電壓源，柵極連接第一PMOS管的漏極、第二PMOS管的柵極、第三PMOS管的源極；第二PMOS管的源極連接電壓源，漏極連接第四PMOS管的源極；第三PMOS管的柵極連接第四PMOS管的柵極、第三PMOS管的漏極、第二NMOS管的漏極、第一NMOS管的柵極；第四PMOS管的漏極連接第三NMOS管的柵極和漏極、第一NMOS管的源極、第二NMOS管的柵極。所述第一NMOS管的漏極連接電壓源；第二NMOS管的源極連接第四NMOS管的漏極；第三NMOS管的源極連接第五NMOS管的漏極和柵極、第四NMOS管的柵極；第四NMOS管的源極連接第六NMOS管的源極；第五NMOS管的源極接地；第六NMOS管的源極連接器件管腳，柵極連接控制信號端；電阻串聯于器件管腳和地之間。?

綜上所述，由于采用了上述技術方案，本發明的有益效果是：即使管腳連接的負載發生變化，也能維持該管腳的跨導恒定，維持該管腳對負載的驅動能力。

附圖說明

圖1是本發明管腳跨導值恒定的驅動電路的原理圖。

具體實施方式

下面結合附圖，對本發明作詳細的說明。

為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。

如圖1所示，是本發明管腳跨導值恒定的驅動電路的原理圖。

本發明的一種管腳跨導值恒定的驅動電路，該電路是連接至器件管腳的。該管腳跨導值恒定的驅動電路包括四只PMOS管，六只NMOS管和一只電阻。所述四只PMOS管分別為：第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3和第四PMOS管P4，所述六只NMOS管分別為：第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5和第六NMOS管N6。

下面結合附圖，對上述各電子元器件間的連接關系加以詳細說明。所述第一PMOS管P1的源極接電壓源VDD，柵極連接第一PMOS管P1的漏極、第二PMOS管P2的柵極、第三PMOS管P3的源極；第二PMOS管P2的源極連接電壓源VDD，漏極連接第四PMOS管P4的源極；第三PMOS管P3的柵極連接第四PMOS管P4的柵極、第三PMOS管P3的漏極、第二NMOS管N2的漏極、第一NMOS管N1的柵極；第四PMOS管P4的漏極連接第三NMOS管N3的柵極和漏極、第一NMOS管N1的源極、第二NMOS管N2的柵極；所述第一NMOS管N1的漏極連接電壓源VDD；第二NMOS管N2的源極連接第四NMOS管N4的漏極；第三NMOS管N3的源極連接第五NMOS管N5的漏極和柵極、第四NMOS管N4的柵極；第四NMOS管N4的源極連接第六NMOS管N6的源極；第五NMOS管N5的源極接地；第六NMOS管N6的源極連接器件管腳33，柵極連接控制信號端EN；電阻R串聯于器件管腳33和地之間。

在本發明的技術方案中，所述第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3和第四PMOS管P4采用參數相同的PMOS管。

在本發明的技術方案中，所述第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4和第五NMOS管N5采用參數相同的NMOS管。

以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。