[發明專利]一種可提高畫面解析度的立體顯示設備及其制造方法

無效

• 申請號: 201210335706.4
• 申請日: 2012-09-11
• 公開（公告）號: CN102854678A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 徐源竣;呂思慧;李明賢
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1333
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

技術領域

本發明涉及一種立體顯示設備，尤其涉及一種可提高畫面解析度的立體顯示設備及其制造方法。

背景技術

當前，隨著半導體技術和液晶顯示技術的發展，自動立體顯示(Autosterocopic，或稱為3D顯示)設備也逐漸受到設計人員和使用者的青睞。在3D顯示器的研發過程中，大致包括兩大技術體系，其一是需佩戴立體眼鏡的3D顯示器，其二是無需佩戴立體眼鏡的裸眼3D顯示器。一般來說，在平面顯示器的顯示屏幕上，若要形成具有立體感的顯示圖像，必須至少提供兩組相位不同的圖像，例如，通過摩爾紋干涉測量法精確對位，利用一組傾斜排列的凸透鏡陣列，僅在水平方向上發生折射以便為人的左眼和右眼提供不同的透視圖像，進而在大腦中將這兩幅圖像進行合成，以達成圖像的立體顯示效果。

在現有技術中，小尺寸的3D顯示器的畫面分辨率較低，已無法滿足消費者的使用需求。為了提高分辨率，勢必會增加液晶面板的掃描線的數量，以960行的柵極掃描線為例，在2D顯示模式下，60Hz的工作頻率其掃描時間小于17.36us，120Hz的工作頻率其掃描時間小于8.68us，當柵極掃描線的數量增加一倍，變成1920行時，于3D顯示模式下，60Hz的工作頻率其掃描時間小于8.68us，120Hz的工作頻率其掃描時間小于4.34us。又如，以1280行的柵極掃描線為例，在2D顯示模式下，60Hz的工作頻率其掃描時間小于13.02us，120Hz的工作頻率其掃描時間小于6.51us，當柵極掃描線的數量增加一倍，變成2560行時，于3D顯示模式下，60Hz的工作頻率其掃描時間小于6.51us，120Hz的工作頻率其掃描時間小于3.26us。也就是說，相比于2D顯示模式，3D顯示模式下的柵極掃描線的數量增加的同時，掃描時間也會相應地縮短。

如此一來，掃描時間縮短(即，同一掃描線的掃描信號的持續期間變短)時，對像素的充電時間也會變短，由于不同像素的像素電壓會頻繁切換，這樣就會相當程度地造成數據線上的RC延遲增加。

有鑒于此，如何設計一種可提高畫面解析度的立體顯示設備，以降低柵極掃描線與源極數據線交疊(crossover)處的寄生電容，減小數據線上的RC延遲，是相關技術人員需要解決的一項課題。

發明內容

針對現有技術中的立體顯示設備在畫面解析度方面所存在的上述缺陷，本發明提供了一種可提高畫面解析度的立體顯示設備及其制造方法。

依據本發明的一個方面，提供了一種可提高畫面解析度的立體顯示設備，包括：

多條柵極線，每一柵極線沿一第一方向延伸；

多條數據線，每一數據線沿一第二方向延伸，數據線與柵極線位于不同的平面，且第二方向與第一方向彼此正交；以及

一中間介質層，設置于柵極線與數據線之間，該中間介質層包括一第一介質部和一第二介質部，該第一介質部與該第二介質部分別位于柵極線的相對兩側，

其中，第一介質部和第二介質部間還具有一容置空間，該容置空間填充有一低k材料，以降低柵極線與數據線間的寄生電容。

在一實施例中，低k材料為空氣或有機材料或空氣與有機材料二者的混合物。進一步，有機材料的介電常數為3.3。

在一實施例中，中間介質層包括層疊的氧化硅層和氮化硅層，所述氮化硅層位于所述氧化硅層的上方，所述氮化硅層與所述氧化硅層的厚度均為3000埃。

依據本發明的另一個方面，提供了一種可提高畫面解析度的立體顯示設備的制造方法，該制造方法包括以下步驟：

形成多條柵極線；

形成一中間介質層于多條柵極線的上方；

形成多條數據線于該中間介質層的上方，數據線與柵極線位于不同平面，且數據線的延伸方向與柵極線的延伸方向彼此正交；

涂布一光刻膠于該中間介質層的上表面；

蝕刻該中間介質層，形成一容置空間，以便露出數據線下方的柵極線；以及

填充一低k材料于該容置空間內，以降低柵極線與數據線間的寄生電容。

在一實施例中，于上述蝕刻步驟與填充步驟之間，該制造方法還包括：移除中間介質層的上表面的所述光刻膠。

在一實施例中，該制造方法還包括：在填充有低k材料的容置空間之上形成一導電層，該導電層由氧化銦錫材料制成。

在一實施例中，上述涂布步驟還包括：涂布光刻膠于數據線的上表面，以保護該數據線。

在一實施例中，形成該中間介質層的步驟還包括：形成氧化硅層于柵極線的上方；以及形成氮化硅層于氧化硅層的上方，其中，氧化硅層與氮化硅層的厚度均為3000埃。