[發明專利]發光二極管無效
| 申請號: | 201210335502.0 | 申請日: | 2012-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN103681725A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發明(設計)人: | 段忠;鄭兆禎;施逸豐 | 申請(專利權)人: | 旭明光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139 | 代理人: | 孫皓晨 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 | ||
技術領域
本發明是一種發光二極管,尤其是一種具有串接結構的發光二極管。
背景技術
發光二極管(LED)技術的進步使LED具有體積小、重量輕、效能高及使用壽命長的特征。LED已在不同的單一色光輸出,例如紅色、藍色及綠色,具有優秀的進步。單一顏色的LED可以用作特別的顯示器中的背光,例如手機及液晶顯示器(LCD)。散熱為改善LED發光效率上的主要限制因素,且因此對于LED的設計者來說,熱傳處理是一件重要的事。
當用電流驅動LED時,由于半導體晶粒內部的漏電流以及從半導體晶粒的到周遭環境的熱傳不足,將會產生高元件溫度。高溫不只會導致元件損害及加速老化,且LED的光學特性也會隨著溫度而變。例如,一LED的光輸出一般會隨著元件溫度的增加而減少。再者,由于半導體能隙能量中的改變,發射波長會隨著溫度而改變。
鑒于傳統發光二極管無法有效的解決散熱的問題,因此,亟需提出一種新穎的發光二極管,以經濟且有效的方式降低發光二極管的漏電流與高溫。
又在現有技術中,驅動發光二極管所需的電壓為3V,因此驅動發光二極管的驅動器需要具有將110V降壓至3V的電壓轉換電路,不過該電壓轉換電路會增加驅動器的體積,而減少發光二極管應用的彈性。
發明內容
針對現有技術的不足,本發明的目的在于:提供一種發光二極管,以經濟且有效的方式降低發光二極管的漏電流與高溫。
為實現上述目的,本發明采用的技術方案是:
一種發光二極管,其特征在于,包括:
一第一發光二極管晶粒、一第二發光二極管晶粒以及一第三發光二極管晶粒,其分別具有一第一半導體層、一第二半導體層以及設置于該第一半導體層以及該第二半導體之間的一多重量子井層,該第二發光二極管設置在該第一發光二極管晶粒以及該第三發光二極管晶粒之間;以及
其中,該第一發光二極管晶粒的第一半導體層與該第二發光二極管晶粒的第二半導體層相耦接,該第二發光二極管晶粒的第一半導體層與該第三發光二極管晶粒的第一與第二半導體層相耦接。
該第一發光二極管晶粒與該第二發光二極管晶粒之間以及該第二發光二極管晶粒與該第三發光二極管晶粒之間有一第一絕緣部,每一第一絕緣部開設有一通孔。
還包括有一第一電極結構以及一第二電極結構,該第一電極結構經由該第一發光二極管晶粒與該第二發光二極管晶粒間的通孔與該第一發光二極管晶粒的第一半導體層以及該第二發光二極管晶粒的第二半導體層連接,該第二電極結構經由該第二發光二極管晶粒與該第三發光二極管晶粒間的通孔與該第二發光二極管晶粒的第一半導體層以及該第三發光二極管晶粒的第二半導體層連接。
該第一電極結構還包括有一第一電極部以及一第二電極部,該第一電極部形成于該第一發光二極管晶粒的第一半導體層上,該第二電極部連接該第二發光二極管晶粒的第二半導體層且經由通孔與該第一電極部連接,該第二電極結構具有一第三電極部以及一第四電極部,該第三電極部形成于該第二發光二極管晶粒以及該第三發光二極管晶粒的第一半導體層上,該第四電極部連接該第三發光二極管晶粒的第二半導體層且經由對應的通孔與該第三電極部連接。
第一發光二極管晶粒的第二半導體層還連接有一第五電極部,其憑借一第二絕緣部與該第二電極部相絕緣。
該第五電極部,其還連接有一第一金屬合金部,該第四電極部還連接有一第二金屬合金部,該第一金屬合金部與該第二金屬合金部憑借一第一凹槽相互絕緣。
該第一金屬合金部與該第二金屬合金部之間具有一第三絕緣部。
該第三絕緣部對應該第二金屬合金部上具有一第二凹槽,其與該第一凹槽相錯位。
該第一金屬合金部與該第二金屬合金部的表面還具有一保護層。
該通孔的寬度小于1000μm。
與現有技術相比較,本發明具有的有益效果是:
本發明提供一種發光二極管,其是在相鄰兩晶粒間的半導體層相耦接以形成串接的結構,因此發光二極管整體所需的電流減少,進而降低發光二極管的所產生的熱度,并可進一步縮小散熱片的尺寸,以提高發光二極管的發光亮度。
本發明提供一種發光二極管,其中一發光二極管晶粒所具有的一p型半導體層與相鄰的另一發光二極管晶粒所具有的一n型半導體層相耦接以形成串接的結構,使得該發光二極管整體所需的電流減少,而可以降低發光二極管的所產生的熱度,并可進一步縮小散熱片的尺寸,以提高發光二極管的發光亮度。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于旭明光電股份有限公司,未經旭明光電股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210335502.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





