[發明專利]發光二極管

無效

• 申請號: 201210335502.0
• 申請日: 2012-09-11
• 公開（公告）號: CN103681725A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 段忠;鄭兆禎;施逸豐
• 申請（專利權）人: 旭明光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種發光二極管，其特征在于，包括：

一第一發光二極管晶粒、一第二發光二極管晶粒以及一第三發光二極管晶粒，其分別具有一第一半導體層、一第二半導體層以及設置于該第一半導體層以及該第二半導體之間的一多重量子井層，該第二發光二極管設置在該第一發光二極管晶粒以及該第三發光二極管晶粒之間；以及

其中，該第一發光二極管晶粒的第一半導體層與該第二發光二極管晶粒的第二半導體層相耦接，該第二發光二極管晶粒的第一半導體層與該第三發光二極管晶粒的第一與第二半導體層相耦接。

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：該第一發光二極管晶粒與該第二發光二極管晶粒之間以及該第二發光二極管晶粒與該第三發光二極管晶粒之間有一第一絕緣部，每一第一絕緣部開設有一通孔。

3.根據權利要求2所述的發光二極管，其特征在于：還包括有一第一電極結構以及一第二電極結構，該第一電極結構經由該第一發光二極管晶粒與該第二發光二極管晶粒間的通孔與該第一發光二極管晶粒的第一半導體層以及該第二發光二極管晶粒的第二半導體層連接，該第二電極結構經由該第二發光二極管晶粒與該第三發光二極管晶粒間的通孔與該第二發光二極管晶粒的第一半導體層以及該第三發光二極管晶粒的第二半導體層連接。

4.根據權利要求3所述的發光二極管，其特征在于：該第一電極結構還包括有一第一電極部以及一第二電極部，該第一電極部形成于該第一發光二極管晶粒的第一半導體層上，該第二電極部連接該第二發光二極管晶粒的第二半導體層且經由通孔與該第一電極部連接，該第二電極結構具有一第三電極部以及一第四電極部，該第三電極部形成于該第二發光二極管晶粒以及該第三發光二極管晶粒的第一半導體層上，該第四電極部連接該第三發光二極管晶粒的第二半導體層且經由對應的通孔與該第三電極部連接。

5.根據權利要求4所述的發光二極管，其特征在于：第一發光二極管晶粒的第二半導體層還連接有一第五電極部，其憑借一第二絕緣部與該第二電極部相絕緣。

6.根據權利要求5所述的發光二極管，其特征在于：該第五電極部，其還連接有一第一金屬合金部，該第四電極部還連接有一第二金屬合金部，該第一金屬合金部與該第二金屬合金部憑借一第一凹槽相互絕緣。

7.根據權利要求6所述的發光二極管，其特征在于：該第一金屬合金部與該第二金屬合金部之間具有一第三絕緣部。

8.根據權利要求7所述的發光二極管，其特征在于：該第三絕緣部對應該第二金屬合金部上具有一第二凹槽，其與該第一凹槽相錯位。

9.根據權利要求6所述的發光二極管，其特征在于：該第一金屬合金部與該第二金屬合金部的表面還具有一保護層。

10.根據權利要求2所述的發光二極管，其特征在于：該通孔的寬度小于1000μm。