[發明專利]硬盤用基板用研磨液組合物、基板的研磨方法和制造方法

有效

• 申請號: 201210334863.3
• 申請日: 2006-08-02
• 公開（公告）號: CN102863943A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 山口哲史
• 申請（專利權）人: 花王株式會社
• 主分類號: C09K3/14
• 分類號: C09K3/14;B24B37/00;B24B37/04;G11B5/84
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳建全

本申請是申請日為2006年8月2日、發明名稱為“研磨液組合物”的中國專利申請No.200610108436.8的分案申請。

技術領域

本發明涉及研磨液組合物、基板的研磨方法和基板的制造方法。

背景技術

在近年的存儲硬盤驅動裝置中，要求小型化和高容量化，為提高記錄密度，一直在努力降低磁頭的浮動高度并減小單位記錄的面積。另一方面，在磁盤用基板的制造工序中，對研磨后的基板的表面質量要求也一年比一年嚴格，作為降低磁頭浮動高度的對策，必須減小其表面粗糙度、微觀波紋度以及突起。另外，為了增大每一塊硬盤的記錄面積，要求到基板的外周端部都是平坦的，并且在基板的研磨中，抑制端面下垂(roll?off)變得更重要。

在WO98/21289A中公開了使用氧化烯烷基硫酸鹽的研磨液組合物，但是端面下垂的降低稱不上充分。在特開2004-179294號公報中，作為半導體研磨技術，公開了使用芳香族磺酸或其鹽的研磨液組合物，但是由于和弱酸組合，所以沒有充分降低端面下垂。同樣地，在特開2005-167231號公報中，作為半導體研磨技術，公開了使用烷基芳香族磺酸或其鹽的研磨液組合物，但是由于是弱酸或者堿性的研磨液組合物，所以無法降低端面下垂（邊緣圓化（edge-rounding））。

發明內容

本發明涉及：

[1]一種研磨液組合物，該研磨液組合物含有二氧化硅、酸、表面活性劑和水，其中(a)25℃時酸在水中的溶解度大于等于1g/100g飽和水溶液，(b)表面活性劑為以下述通式(1)所示的磺酸或其鹽，且(c)研磨液組合物的pH值為0～4，

R-(O)_n-X-SO₃H????(1)

[式中，R表示一部分或全部氫原子可用氟原子取代的碳原子數為3～20的烴基，X表示從芳香烴的芳香環去掉2個氫原子后的殘基，n表示0或1。]；

[2]一種研磨液組合物，該研磨液組合物含有二氧化硅、酸、表面活性劑和水，其中(a’)25℃時酸在水中的溶解度大于等于1g/100g飽和水溶液，(b’)表面活性劑為以下述通式(2)所示的磺酸或其鹽，且(c’)研磨液組合物的pH值為0～3，

R’-O-(AO)_n-SO₃H????????(2)

[式中，R’表示碳原子數為3～20的烴基，AO表示碳原子數為2～4的氧化烯基，n表示AO的平均加成摩爾數且為1～6。]；

[3]一種基板的研磨方法，該方法具有研磨工序，在該研磨工序中，對每1cm²的被研磨基板以大于等于0.05mL/分鐘的速度供給[1]或者[2］記載的研磨液組合物，并在5～50kPa的研磨壓力下進行研磨；

[4]一種基板的制造方法，該方法具有研磨工序，在該研磨工序中，對每1cm²的被研磨基板以大于等于0.05mL/分鐘的供給速度供給[1]或者[2]記載的研磨液組合物，并在5～50kPa的研磨壓力下進行研磨；

[5]一種降低基板的端面下垂的方法，該方法具有使用[1]或者[2]記載的研磨液組合物來研磨基板的工序。

附圖說明

圖1是表示測定端面下垂時的測定位置的基板的剖視圖。

圖1中的符號如下所述。

A是從圓盤中心向外周方向離開43.0mm的距離的點，B是從圓盤中心向外周方向離開44.0mm的距離的點，C是從圓盤中心向外周方向離開46.6mm的距離的點，C’是與通過A、B和C點的直線垂直于C點的直線、與圓盤表面的交點，X是端面下垂。

具體實施方式

本發明涉及一種對于基板外周端部的端面下垂的降低，特別是對于硬盤高容量化所必須的端面下垂的降低而有效的研磨液組合物；使用該研磨液組合物降低端面下垂的基板的研磨方法以及基板的制造方法。

例如，通過在硬盤用基板的制造工序中的研磨工序使用本發明的研磨液組合物，可以起到如下效果：由于可以顯著降低基板外周端部的邊緣圓化即端面下垂，所以可以制造適合高容量硬盤的基板。

本發明的上述優點和其它優點通過下述說明可以表明。

本發明的研磨液組合物的一個特征在于：包括含有二氧化硅的研磨材料、由特定結構的磺酸或其鹽形成的表面活性劑、對水具有特定的溶解度的酸，并具有特定的pH值。