[發明專利]一種雙位NROM存儲器及提高其電子注入效率的方法和結構

有效

• 申請號: 201210333706.0
• 申請日: 2012-09-11
• 公開（公告）號: CN102832136A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 田志;顧經綸
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/792;H01L29/423
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種提高雙位存儲NROM電子注入效率的方法，其特征在于，包括以下步驟：

制備一具有兩個凸面的襯底；

在所述襯底的表面依次形成隧穿介質層、存儲電荷層、阻擋氧化層，所述隧穿介質層、所述存儲電荷層和所述阻擋氧化層的表面為凸面結構；

在所述阻擋氧化層上表面制備多晶硅；

在所述襯底上進行刻蝕工藝，去除所述襯底上多余的所述多晶硅、所述阻擋氧化層、所述存儲電荷層和所述隧穿介質層；

在所述襯底的兩側形成源極和漏極，并在所述源極和所述漏極上形成側墻。

2.根據權利要求1所述的非對稱分層勢壘提高雙位存儲NROM電子注入效率的方法，其特征在于，所述凸面結構均為弧形凸面結構。

3.根據權利要求1所述的提高雙位存儲NROM電子注入效率的方法，其特征在于，所述隧穿介質層為二氧化硅。

4.根據權利要求1所述的提高雙位存儲NROM電子注入效率的方法，其特征在于，所述存儲電荷層為氮化硅層。

5.根據權利要求1所述的提高雙位存儲NROM電子注入效率的方法，其特征在于，所述阻擋氧化層為二氧化硅。

6.一種提高NROM存儲器電子注入效率的結構，其特征在于，所述NROM結構由上述權利要求1-5中任一權利要求所述的方法制備形成，所述NROM結構包括一襯底，所述襯底的表面包括凸面，在該襯底上由下至上依次包括隧穿介質層、存儲電荷層、阻擋氧化層以及多晶硅，所述隧穿介質層、存儲電荷層、阻擋氧化層以及多晶硅的表面包括彼此貼合的凸面結構，所述凸面結構與所述凸面匹配貼合。

7.一種雙位存儲NROM存儲器，其特征在于，所述存儲器包括上述權利要求6所述的提高NROM存儲器電子注入效率的結構。