[發明專利]半導體器件及其裝配方法無效
| 申請號: | 201210333682.9 | 申請日: | 2012-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN103681383A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發明(設計)人: | 姚晉鐘;白志剛;臧園 | 申請(專利權)人: | 飛思卡爾半導體公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 金曉 |
| 地址: | 美國得*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 及其 裝配 方法 | ||
1.一種封裝半導體管芯的方法,所述方法包括:
提供導電引線框片,所述導電引線框片具有至少一個管芯襯墊、圍繞管芯襯墊的框架部件和多個引線指,其中所述引線指從所述框架部件向所述管芯襯墊延伸,并且其中每一個引線指具有連接到所述框架部件的遠端和靠近所述管芯襯墊的近端;
將半導體管芯連附到所述管芯襯墊;
將所述半導體管芯上的接觸襯墊電氣地連接到所述引線指的相應的近端;以及
利用封裝材料包封至少管芯、管芯襯墊和所述引線指的近端,其中所述包封包括將引線指分隔為第一組引線指和第二組引線指,以及
其中第一組引線指的近端位于第一平面中,第二組引線指的近端位于第二平面中,第二平面僅僅通過所述封裝材料與第一平面隔開并保持。
2.如權利要求1的封裝半導體管芯的方法,其中第一和第二組引線指交錯。
3.如權利要求2的封裝半導體管芯的方法,其中第一組引線指的成員與第二組引線指的成員交替排列。
4.如權利要求1的封裝半導體管芯的方法,其中通過模制執行所述包封。
5.如權利要求4的封裝半導體管芯的方法,其中通過引線指的近端位于其內的塑模執行所述模制,并且其中所述塑模具有捕捉和彎曲第二組引線指的近端以使第二組引線指的近端位于第二平面中的槽和座。
6.如權利要求1的封裝半導體管芯的方法,進一步包括分隔所述引線指和所述框架部件。
7.如權利要求6的封裝半導體管芯的方法,進一步包括彎曲所述引線指以使得所述引線指的遠端位于與第一和第二平面間隔開的第三平面中。
8.如權利要求7的封裝半導體管芯的方法,其中所述第一和第二平面彼此平行。
9.如權利要求8的封裝半導體管芯的方法,其中所述第三平面平行于第一平面。
10.如權利要求1的封裝半導體管芯的方法,其中與第一組引線指的各成員相比,第二組引線指的各成員更長。
11.如權利要求1的封裝半導體管芯的方法,其中與第一組引線指的遠端相比,所述第二組引線指的遠端與所述封裝材料間隔得更遠。
12.一種半導體器件,包括:
管芯襯墊;
第一組引線指,與所述管芯襯墊間隔開并且從所述管芯襯墊向外凸出,其中所述引線指具有接近于所述管芯襯墊的近端和更遠離所述管芯襯墊的遠端,以及其中第一組引線指的近端位于第一平面中;
第二組引線指,與所述管芯襯墊間隔開并且從所述管芯襯墊向外凸出,其中第二組引線指具有接近于所述管芯襯墊的近端和更遠離所述管芯襯墊的遠端,以及其中第二組引線指的近端位于與第一平面間隔開的第二平面中;
半導體管芯,連附到所述管芯襯墊,其中所述半導體管芯上的接合襯墊利用接合線電氣地耦合到第一和第二組引線指的相應的所述近端;以及
封裝材料,覆蓋所述接合線、半導體管芯和第一和第二組引線指的近端,其中所述封裝材料被配置在第一和第二組引線指的近端之間的空間中,以使得所述封裝材料將第一組引線指保持在第一平面中以及將第二組引線指保持在第二平面中,其中第一和第二組引線指的遠端從所述封裝材料向外凸出并且允許與所述半導體管芯的外部電連接。
13.如權利要求12的半導體器件,其中第一和第二組引線指交錯。
14.如權利要求13的半導體器件,其中第一組引線指的成員與第二組引線指的成員交替排列。
15.如權利要求12的半導體器件,其中所述封裝材料是模塑化合物,并且其中當所述引線指被所述封裝材料覆蓋時,第二組引線指的近端被安置位于第二平面中。
16.如權利要求12的半導體器件,其中所述第一和第二平面彼此平行。
17.如權利要求12的半導體器件,其中所述引線指的遠端位于與第一和第二平面間隔開的第三平面中。
18.如權利要求17的半導體器件,其中所述第三平面平行于第一平面。
19.如權利要求18的半導體器件,其中所述第三平面平行于第一和第二平面。
20.如權利要求12的半導體器件,其中與第一組引線指的遠端相比,所述第二組引線指的遠端從所述封裝材料延伸得更遠。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





