[發明專利]一種低功耗異或/同或門電路有效
| 申請號： | 201210333397.7 | 申請日： | 2012-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN102857217A | 公開（公告）日： | 2013-01-02 |
| 發明（設計）人： | 胡建平;陳金丹;楊丹 | 申請（專利權）人： | 寧波大學 |
| 主分類號： | H03K19/20 | 分類號： | H03K19/20;H01L29/06 |
| 代理公司： | 寧波奧圣專利代理事務所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 程曉明 |
| 地址： | 315211 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 功耗 門電路 | ||
1.一種低功耗異或/同或門電路，其特征在于：包括輸入反相器模塊、互補傳輸管邏輯模塊和差分串聯電壓開關邏輯模塊，所述的輸入反相器模塊包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管和第二NMOS管，所述的互補傳輸管邏輯模塊包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管，所述的差分串聯電壓開關邏輯模塊包括第三PMOS管和第四PMOS管，所述的第一PMOS管的源極、所述的第二PMOS管的源極、所述的第三PMOS管的源極及所述的第四PMOS管的源極均與電源正端相連接，所述的第一NMOS管的源極和所述的第二NMOS管的源極均接地，所述的第一PMOS管的柵極、所述的第一NMOS管的柵極、所述的第四NMOS管的源極及所述的第六NMOS管的源極均與第一信號輸入端相連接，所述的第二PMOS管的柵極、所述的第二NMOS管的柵極、所述的第三NMOS管的柵極及所述的第六NMOS管的柵極均與第二信號輸入端相連接，所述的第一PMOS管的漏極、所述的第一NMOS管的漏極、所述的第三NMOS管的源極及所述的第五NMOS管的源極四者相連接，所述的第二PMOS管的漏極、所述的第二NMOS管的漏極、所述的第四NMOS管的柵極及所述的第五NMOS管的柵極四者相連接，所述的第三NMOS管的漏極、所述的第四NMOS管的漏極、所述的第三PMOS管的漏極及所述的第四PMOS管的柵極均與第一信號輸出端相連接，所述的第五NMOS管的漏極、所述的第六NMOS管的漏極、所述的第四PMOS管的漏極及所述的第三PMOS管的柵極均與第二信號輸出端相連接。
2.根據權利要求1所述的一種低功耗異或/同或門電路，其特征在于：所述的第一PMOS管的溝道長度、所述的第二PMOS管的溝道長度、所述的第三PMOS管的溝道長度、所述的第四PMOS管的溝道長度、所述的第一NMOS管的溝道長度、所述的第二NMOS管的溝道長度、所述的第三NMOS管的溝道長度、所述的第四NMOS管的溝道長度、所述的第五NMOS管的溝道長度及所述的第六NMOS管的溝道長度均為標準工藝下最小溝道長度的1.02~1.07倍。
3.根據權利要求1所述的一種低功耗異或/同或門電路，其特征在于：所述的電源正端的工作電壓值為標準電壓值的0.67~0.75倍。
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