[發明專利]一種MOS型功率半導體器件

無效

• 申請號: 201210333289.X
• 申請日: 2012-09-11
• 公開（公告）號: CN102832249A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 喬明;何逸濤;溫恒娟;向凡;周鋅;吳文杰;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/739
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 溫利平

1.一種MOS型功率半導體器件，包括陰極結構；所述陰極結構包括P型阱區（8）和位于P型阱區（8）中的N型雜質重摻雜區（1）和P型雜質重摻雜區（2）；其特征在于，所述N型雜質重摻雜區（1）和P型雜質重摻雜區（2）在P型阱區（8）中沿整個器件的寬度方向呈交替間隔分布，且N型雜質重摻雜區（1）和P型雜質重摻雜區（2）表面均與陰極金屬相接觸。

2.根據權利要求1所述的MOS型功率半導體器件，其特征在于，所述P型阱區（8）任意兩個相鄰的N型雜質重摻雜區（1）和P型雜質重摻雜區（2）的寬度相同。

3.根據權利要求1所述的MOS型功率半導體器件，其特征在于，所述P型阱區（8）任意兩個相鄰的N型雜質重摻雜區（1）和P型雜質重摻雜區（2）的寬度不相同。

4.根據權利要求1所述的MOS型功率半導體器件，其特征在于，所述MOS型功率半導體器件為MOS型柵控器件，包括N溝道或P溝道的LDMOS、VDMOS、IGBT和LIGBT。

5.根據權利要求1所述的MOS型功率半導體器件，其特征在于，所述MOS型功率半導體器件采用硅、碳化硅、氮化鎵或砷化鎵半導體材料制成，或采用絕緣層上半導體材料制成。