[發明專利]量子點層的制造方法和轉移方法以及量子點光電器件

有效

• 申請號: 201210328278.2
• 申請日: 2012-09-06
• 公開（公告）號: CN102983230A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 金泰豪;趙慶相;丁大榮;崔秉龍
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L31/18;H01L33/06;H01L31/0352;H01L51/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 弋桂芬

技術領域

本公開涉及量子點層的制造方法以及包括該量子點層的量子點光電器件。

背景技術

近來，正廣泛開展對于采用量子點（QD）的發射特性的光電器件的研究。

量子點是一種具有尺寸小于激子玻爾半徑的結晶結構的半導體材料，也就是，是一種具有尺寸為幾個納米的結晶結構的半導體材料。盡管量子點具有許多電子，但自由電子的數量限制在從約一個到約一百個的范圍。在這種情況下，電子的能級受到不連續地限制，因此量子點顯示了不同于整體狀態半導體的電特性和光學特性，其中整體狀態的半導體形成連續的能帶。在量子點中，能級根據量子點的尺寸而改變，因此可以通過改變量子點的尺寸來控制帶隙。也就是說，量子點可以僅通過改變其尺寸來控制發射波長。

量子點由于其優點而可以用于光電器件中。例如，量子點具有高色純度、自發射特性、容易通過尺寸調節進行的顏色調整性等。

當通過諸如旋涂的溶液工藝（solution?process）制造量子點層時，大面積的量子點層可在空氣剪切力的影響下而制造。然而，因為難以采用現有技術將所制造的量子點層轉移到光電器件或者將量子點層堆疊在多層結構中，所以在光電器件中采用具有優異特性的量子點層存在許多限制。

發明內容

一個或更多個實施例提供一種采用犧牲層制造量子點層的方法以及包括該量子點層的量子點光電器件。

根據一實施例的方面，提供了一種量子點層的制造方法，該方法包括：在源基板上順次地堆疊自組裝單層（SAM）、犧牲層和量子點層；在量子點層上設置印模；通過印模拾取犧牲層和量子點層；以及采用溶解犧牲層的溶液從量子點層去除犧牲層。

量子點層可以通過溶液工藝形成在犧牲層上。

犧牲層可以是聚合物基高分子量材料。

溶液可以是可極化溶液。

量子點層可以包括布置成二維陣列的多個量子點。

當拾取犧牲層和量子點層時，可以將犧牲層從SAM分離。

印模可以是彈性聚合物。

可以在印模上進行紫外線（UV）-臭氧處理。

微圖案可以形成在印模的接觸量子點層的表面上，以減少量子點層和印模之間的接觸面積。

該方法還可以包括：通過將被去除犧牲層的量子點層轉印到器件基板上而在器件基板上形成量子點層。

該方法還可以包括：采用熱、壓電效應和諸如聲波的微振動中的至少一種從量子點層分離印模。

根據另一實施例的方面，提供了一種量子點光電器件，該量子點光電器件包括：彼此間隔開設置的第一電極和第二電極；以及設置在第一電極和第二電極之間的量子點有源層，其包括采用上述方法制造的量子點層。

量子點層可以包括多個量子點，每個量子點具有能夠發射相同波段的光的尺寸。

量子點有源層可以包括發射不同顏色的光的多個量子點層。

量子點有源層可以具有多層結構，在該多層結構中垂直地堆疊多個量子點層。

量子點有源層可以發射白光。

量子點有源層可以具有單層結構，在該單層結構中水平地設置多個量子點層。

多個量子點層可以設置為彼此間隔開。

附圖說明

從以下結合附圖進行的對實施例的說明，以上和/或其它方面將變得更明顯且更容易理解，附圖中：

圖1是示出根據實施例的量子點層的制造方法的流程圖；

圖2至圖8是順次地示出根據實施例的量子點層的制造方法的示意圖；

圖9是示出根據實施例的采用量子點層的制造方法制造的量子點光電器件的圖示，其中圖9示出量子點顯示器；

圖10是示出根據另一實施例的采用量子點層的制造方法制造的量子點光電器件的圖示，其中圖10示出白色發射量子點光電器件；

圖11是示出根據實施例的量子點層在轉移之前和轉移之后的吸收率的測量結果的曲線圖；

圖12是示出根據實施例的根據是否采用犧牲層的量子點層的拾取率的測量結果的曲線圖；以及

圖13是示出根據實施例的具有單層結構的量子點層的光致發光（PL）強度和發射多種顏色并且具有多層結構的量子點層的光致發光（PL）強度的測量結果的曲線圖。

具體實施方式

將參考附圖詳細描述示例性實施例。附圖中，層和區域的厚度為簡明起見被夸大。通篇說明書中相同的附圖標記表示相同的元件。

圖1是示出根據實施例的量子點層的制造方法的流程圖。