[發明專利]量子點層的制造方法和轉移方法以及量子點光電器件

有效

• 申請號: 201210328278.2
• 申請日: 2012-09-06
• 公開（公告）號: CN102983230A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 金泰豪;趙慶相;丁大榮;崔秉龍
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L31/18;H01L33/06;H01L31/0352;H01L51/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 弋桂芬

1.一種量子點層的制造方法，所述方法包括：

在源基板上順次地堆疊自組裝單層、犧牲層和量子點層；

在所述量子點層上設置印模；

通過所述印模拾取所述犧牲層和所述量子點層；以及

采用溶解所述犧牲層的溶液從所述量子點層去除所述犧牲層。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述量子點層通過溶液工藝形成在所述犧牲層上。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述犧牲層是聚合物基高分子量材料。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述溶液是可極化溶液。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述量子點層包括布置成二維陣列的多個量子點。

6.如權利要求1所述的方法，其中當通過所述印模拾取所述犧牲層和所述量子點層時，所述犧牲層從所述自組裝單層分離。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述印模是彈性聚合物。

8.如權利要求1所述的方法，還包括：在所述印模上進行紫外線-臭氧處理。

9.如權利要求1所述的方法，其中所述印模的接觸所述量子點層的表面包括使所述量子點層和所述印模之間的接觸面積減少的微圖案。

10.如權利要求1所述的方法，還包括：通過將去除了所述犧牲層的所述量子點層轉印到器件基板上，在所述器件基板上形成所述量子點層。

11.如權利要求10所述的方法，還包括：采用熱、壓電效應和微振動中的至少一種將所述印模從所述量子點層分離。

12.一種量子點光電器件，包括：

第一電極；

第二電極，設置為與所述第一電極間隔開；以及

量子點有源層，設置在所述第一電極和所述第二電極之間，所述量子點有源層包括采用權利要求1所述的方法制造的量子點層。

13.如權利要求12所述的量子點光電器件，其中所述量子點層包括多個量子點，所述多個量子點中的每個具有構造成發射相同波段的光的尺寸。

14.如權利要求12所述的量子點光電器件，其中所述量子點有源層包括發射不同顏色的光的多個量子點層。

15.如權利要求14所述的量子點光電器件，其中所述量子點有源層具有多層結構，在所述多層結構中垂直地堆疊多個量子點層。

16.如權利要求15所述的量子點光電器件，其中所述量子點有源層發射白光。

17.如權利要求14所述的量子點光電器件，其中所述量子點有源層具有單層結構，在所述單層結構中水平地設置所述多個量子點層。

18.如權利要求17所述的量子點光電器件，其中所述多個量子點層設置為彼此間隔開。

19.一種量子點層的轉移方法，用于將第一量子點層從第一基板轉移到第二基板，所述方法包括：

（a）在所述第一基板上順次地堆疊自組裝單層、犧牲層和第一量子點層；

（b）使印模與所述第一量子點層接觸；

（c）從所述第一量子點層去除所述犧牲層；以及

（d）在所述第二基板上沉積所述第一量子點層。

20.如權利要求19所述的方法，還包括：采用溶解所述犧牲層的溶液從所述第一量子點層去除所述犧牲層。

21.如權利要求19所述的方法，其中在順次堆疊之后，所述自組裝單層和所述犧牲層之間的粘著量小于所述犧牲層和所述第一量子點層之間的粘著量。

22.如權利要求21所述的方法，其中在使所述印模與所述第一量子點層接觸之后，所述第一量子點層和所述印模之間的粘著量大于所述自組裝單層和所述犧牲層之間的粘著量。

23.如權利要求19所述的方法，其中所述第一量子點層的厚度小于約20nm。

24.如權利要求19所述的方法，其中所述第二基板的接觸所述第一量子點層的表面包括第二量子點層。