[發明專利]一種電磁屏蔽材料、應用及其制造工藝

有效

• 申請號: 201210326224.2
• 申請日: 2012-09-06
• 公開（公告）號: CN102892279A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 劉偉德
• 申請（專利權）人: 劉偉德
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所 44268
• 代理人: 王永文;楊宏

技術領域

本發明涉及電磁屏蔽材料領域，尤其涉及一種Flash存儲卡等電子設備用的電磁屏蔽材料、應用及其制造工藝。

背景技術

隨著Flash存儲卡的存儲速度的增加,?Flash存儲卡已經進入到幾百MHz到GHz的時代，其可用于各類電子設備作為臨時存儲和緩沖存儲的主要承載設備。但是由于高速傳輸導致高頻信號向外輻射，往往會干擾其它的臨近的敏感元器件，產生電磁干擾，這樣會很大程度影響電子設備的正常工作。因此，對例如Flash存儲卡的電子設備進行屏蔽顯得尤為重要。

例如，目前也有一些技術來解決Flash存儲卡的輻射問題，例如用導電金屬層通過PMC環氧封裝工藝直接將導電金屬層粘在Flash存儲卡的一側，實現屏蔽和固定的作用；或者采用導電油墨的噴墨打印技術，在成型好的存儲卡直接采用噴墨打印的方式將導電層固定到存儲卡上實現電磁屏蔽的功能，但由于上述方法都無法形成有效的完整法拉第電籠結構，電磁干擾無法得到徹底解決，同時磁場分量的信號干擾也不能有效地隔離。而且這些方法也不能很好解決導電金屬層在高頻條件下的磁導率下降的問題。

因此，現有技術還有待于改進和發展。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種電磁屏蔽材料、應用及其制造工藝，旨在解決現有電子設備的電磁屏蔽材料在高頻條件下磁導率下降以及屏蔽效果不佳的問題。

本發明的技術方案如下：

一種電磁屏蔽材料，其中，其包括至少一層：

導磁性金屬層；

所述導磁性金屬層的第一表面為通過電化學處理形成鍍層；

所述導磁性金屬層為通過橫向磁場熱處理后得到。

所述電磁屏蔽材料，其中，所述導磁性金屬層的第二表面涂布有一導磁性涂層。

所述電磁屏蔽材料，其中，所述導磁性金屬層的材質為鐵磁性金屬及其合金、鐵鎳合金、鈷鎳合金、鐵基或者鈷基非晶態合金、鐵基或者鈷基納米晶態合金中的一種或幾種組合物。

所述電磁屏蔽材料，其中，所述電磁屏蔽材料在30MHz~10GHz頻率范圍內的磁導率大于3?mH/m，在20KHz以下頻率范圍內的相對磁導率為大于500，在2GHz以下頻率范圍內的相對磁導率為大于5。

所述電磁屏蔽材料，其中，按重量百分比計，所述導磁性涂層中含有不低于10%的羧基鐵粉。

所述電磁屏蔽材料，其中，所述電化學處理的條件為：電解液為10~15%的硫酸溶液，電解液中鐵、鎳離子含量為5~10g/l，電流密度為1.0~2.1A/dm²。

所述電磁屏蔽材料，其中，所述鍍層為具有不規則島狀結構的高比表面積層。

一種所述電磁屏蔽材料的應用，其中，將所述電磁屏蔽材料用于屏蔽Flash存儲卡的輻射，所述電磁屏蔽材料的第一表面通過環氧封裝層與Flash存儲卡的電路基板結合。

一種制造所述電磁屏蔽材料的工藝，其中，包括步驟：將導磁性金屬層的第一表面進行電化學處理獲得鍍層，并通過橫向磁場熱處理后制得所述電磁屏蔽材料。

所述的制造工藝，其中，還包括步驟：將所述導磁性金屬層的第二表面涂布一層導磁性涂層。

有益效果：本發明提供的電磁屏蔽材料，通過將導磁性金屬層通過橫向磁場熱處理，其處理得到的電磁屏蔽材料在2GHz以內或者10KHz~30MHz的頻率范圍內的磁導率能夠有效改善，還可通過將導磁性涂層涂布在導磁性金屬層上，形成的復合結構可有效改善在30MHz~10GHz頻率范圍內的磁導率，從而提高屏蔽效果。本發明還采用電化學處理方式對導磁性金屬層進行電化學處理，從而使導磁性金屬層表面生成島狀的高比表面積的鍍層，最終與封裝環氧層的結合效果更好，老化熱沖擊也不會撬開，提高了結合強度。

附圖說明

圖1為本發明中導磁性金屬層中優選的鐵鎳合金的性能示意圖。

圖2為本發明中導磁性金屬層經過電化學處理及橫向磁場熱處理后的性能示意圖。

圖3為本發明中電磁屏蔽材料與Flash存儲卡電路基板第一步的封裝示意圖。

圖4為本發明中電磁屏蔽材料與Flash存儲卡電路基板第二步的封裝示意圖。

圖5為本發明中電磁屏蔽材料與Flash存儲卡電路基板第三步的封裝示意圖。

圖6為現有技術中電磁屏蔽材料與環氧封裝層的截面結構圖。

圖7為本發明電磁屏蔽材料與環氧封裝層的截面結構圖。

圖8為現有技術中的Flash存儲卡的元器件電磁輻射示意圖。