[發明專利]一種電磁屏蔽材料、應用及其制造工藝

有效

• 申請號: 201210326224.2
• 申請日: 2012-09-06
• 公開（公告）號: CN102892279A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 劉偉德
• 申請（專利權）人: 劉偉德
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所 44268
• 代理人: 王永文;楊宏

1.一種電磁屏蔽材料，其特征在于，其包括至少一層：

導磁性金屬層；

所述導磁性金屬層的第一表面為通過電化學處理形成鍍層；

所述導磁性金屬層為通過橫向磁場熱處理后得到。

2.根據權利要求1所述電磁屏蔽材料，其特征在于，所述導磁性金屬層的第二表面涂布有一導磁性涂層。

3.根據權利要求1所述電磁屏蔽材料，其特征在于，所述導磁性金屬層的材質為鐵磁性金屬及其合金、鐵鎳合金、鈷鎳合金、鐵基或者鈷基非晶態合金、鐵基或者鈷基納米晶態合金中的一種或幾種組合物。

4.根據權利要求2所述電磁屏蔽材料，其特征在于，所述電磁屏蔽材料在30MHz~10GHz頻率范圍內的磁導率大于3?mH/m，在20KHz以下頻率范圍內的相對磁導率為大于500，在2GHz以下頻率范圍內的相對磁導率為大于5。

5.根據權利要求2所述電磁屏蔽材料，其特征在于，按重量百分比計，所述導磁性涂層中含有不低于10%的羧基鐵粉。

6.根據權利要求1所述電磁屏蔽材料，其特征在于，所述電化學處理的條件為：電解液為10~15%的硫酸溶液，電解液中鐵、鎳離子含量為5~10g/l，電流密度為1.0~2.1A/dm²。

7.根據權利要求6所述電磁屏蔽材料，其特征在于，所述鍍層為具有不規則島狀結構的高比表面積層。

8.一種如權利要求1至7任一所述電磁屏蔽材料的應用，其特征在于，將所述電磁屏蔽材料用于屏蔽Flash存儲卡的輻射，所述電磁屏蔽材料的第一表面通過環氧封裝層與Flash存儲卡的電路基板結合。

9.一種制造如權利要求1至7任一所述電磁屏蔽材料的工藝，其特征在于，包括步驟：將導磁性金屬層的第一表面進行電化學處理獲得鍍層，并通過橫向磁場熱處理后制得所述電磁屏蔽材料。

10.根據權利要求9所述的制造工藝，其特征在于，還包括步驟：將所述導磁性金屬層的第二表面涂布一層導磁性涂層。