[發(fā)明專利]子字線驅(qū)動(dòng)器和半導(dǎo)體集成電路器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210326063.7
• 申請(qǐng)日: 2012-09-05
• 公開（公告）號(hào): CN103165174B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹泰植;金東輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): G11C11/4063
• 分類號(hào): G11C11/4063
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11363
• 代理人: 石卓瓊,俞波

1.一種半導(dǎo)體集成電路器件，包括：

多個(gè)主字線；以及

多個(gè)子字線，所述多個(gè)子字線被配置成響應(yīng)于所述多個(gè)主字線中的每個(gè)的信號(hào)而被驅(qū)動(dòng)，

其中，所述多個(gè)子字線從分別布置在單元陣列區(qū)的兩側(cè)邊緣處的子字線驅(qū)動(dòng)器區(qū)向所述單元陣列區(qū)延伸，

從一個(gè)子字線驅(qū)動(dòng)器區(qū)向所述單元陣列區(qū)延伸的多個(gè)子字線中的選中的一個(gè)子字線和與所述選中的子字線相鄰的另一個(gè)子字線，分別響應(yīng)于不同的主字線的信號(hào)而被驅(qū)動(dòng)，并且

所述不同的主字線的信號(hào)具有不同的邏輯電平。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中，從另一個(gè)子字線驅(qū)動(dòng)器區(qū)向所述單元陣列區(qū)延伸的多個(gè)子字線中的選中的一個(gè)子字線和與所述選中的子字線相鄰的另一個(gè)子字線，分別響應(yīng)于所述不同的主字線的信號(hào)而被驅(qū)動(dòng)。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中，所述多個(gè)子字線被配置成使得從一個(gè)子字線驅(qū)動(dòng)器區(qū)延伸的子字線和從另一個(gè)子字線驅(qū)動(dòng)器區(qū)延伸的子字線被交替布置。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中，布置在所述單元陣列區(qū)上的任意子字線和與所述任意子字線相鄰的其它子字線，分別響應(yīng)于所述不同的主字線的信號(hào)而被驅(qū)動(dòng)。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中，所述子字線驅(qū)動(dòng)器包括反相器，所述反相器響應(yīng)于選中的主字線的信號(hào)而被驅(qū)動(dòng)。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中，所述反相器的輸出信號(hào)線成為所述子字線本身，而未與任何元件連接。

7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中，布置在所述單元陣列區(qū)上的所述多個(gè)子字線，以響應(yīng)于第一主字線的信號(hào)而被驅(qū)動(dòng)的子字線、響應(yīng)于第二主字線的信號(hào)而被驅(qū)動(dòng)的子字線、響應(yīng)于第三主字線的信號(hào)而被驅(qū)動(dòng)的子字線以及響應(yīng)于第四主字線的信號(hào)而被驅(qū)動(dòng)的子字線的順序連續(xù)布置。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中，在從一個(gè)子字線驅(qū)動(dòng)器區(qū)延伸的相鄰的一對(duì)子字線之間還連接了用于防止浮置的保持器晶體管，且在從另一個(gè)子字線驅(qū)動(dòng)器區(qū)延伸的相鄰的一對(duì)子字線之間還連接了用于防止浮置的保持器晶體管。

9.一種半導(dǎo)體集成電路器件的子字線驅(qū)動(dòng)器，包括：

半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底被配置成包括具有PMOS晶體管的N阱和具有NMOS晶體管的P阱；

四個(gè)子字線，所述四個(gè)子字線被配置成平行延伸在所述N阱和P阱之上；

第一至第四子字線選擇線，所述第一至第四子字線選擇線被配置成沿與所述四個(gè)子字線交叉的方向延伸，并形成在所述N阱上；

一對(duì)VSS線，所述一對(duì)VSS線被配置成形成在所述P阱上，且被形成為與所述子字線的延伸方向平行；

第一主字線，所述第一主字線被配置成包括第一部分和第二部分，所述第一部分與所述子字線選擇線中的兩個(gè)子字線選擇線具有兩個(gè)交叉處，所述第二部分與所述一對(duì)VSS線交叉；以及

第二主字線，所述第二主字線被配置成包括第一部分和第二部分，所述第一部分與所述子字線選擇線中的另外兩個(gè)子字線選擇線具有兩個(gè)交叉處，所述第二部分與所述一對(duì)VSS線交叉。

10.如權(quán)利要求9所述的子字線驅(qū)動(dòng)器，其中，所述四個(gè)子字線中的第一和第三子字線與所述第一主字線電連接，且所述四個(gè)子字線中的第二和第四子字線與所述第二主字線電連接。

11.如權(quán)利要求9所述的子字線驅(qū)動(dòng)器，其中，所述四個(gè)子字線以不連續(xù)排序布置。

12.如權(quán)利要求9所述的子字線驅(qū)動(dòng)器，其中，在位于所述N阱和所述P阱的相鄰部分處的所述第一主字線和所述第二主字線中的主字線中，第一和第二部分彼此連接。

13.如權(quán)利要求9所述的子字線驅(qū)動(dòng)器，其中，所述N阱的寬度是所述P阱的寬度的至少兩倍。

14.如權(quán)利要求9所述的子字線驅(qū)動(dòng)器，其中，所述一對(duì)VSS線中的一個(gè)被布置在所述第一和第二子字線之間的空間中，所述一對(duì)VSS線中的另一個(gè)被布置在所述第三和第四子字線之間的空間中。