[發明專利]子字線驅動器和半導體集成電路器件

有效

• 申請號: 201210326063.7
• 申請日: 2012-09-05
• 公開（公告）號: CN103165174B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 尹泰植;金東輝
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C11/4063
• 分類號: G11C11/4063
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙)11363
• 代理人: 石卓瓊,俞波

相關申請的交叉引用

本申請要求2011年12月15日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2011-0135701的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本發明涉及一種半導體集成電路技術，更具體而言，涉及一種子字線驅動器以及具有子字線驅動器的半導體集成電路器件。

背景技術

半導體存儲器件，尤其是DRAM被設計成使得一個主字線選擇性激活多個子字線中的一個。例如，當存在64個主字線且每個主字線存在8個子字線時，一個主字線激活8個子字線中的一個。

為了控制子字線，在存儲器單元陣列附近布置子字線驅動器。子字線驅動器通常被配置成包括CMOS反相器和與CMOS反相器的輸出端子連接的保持器晶體管（keeper?transistor）。這里，CMOS反相器接收主字線信號，而保持器晶體管用于防止由未選中的子字線的浮置（floating）引起的問題。

如上所述，由于子字線驅動器被配置成包括具有NMOS晶體管的保持器晶體管和CMOS反相器，所以子字線驅動器包括一個PMOS晶體管和兩個NMOS晶體管。因此，子字線驅動器需要布置成彼此分隔開的兩個阱，且兩個阱占用一定的面積。

隨著半導體存儲器件的存儲器單元陣列的集成密度增加，控制電路區的面積也減小，并且因此，需要減小子字線驅動器的面積。

發明內容

在本發明的一個實施例中，一種半導體集成電路器件包括多個主字線和多個子字線，并且所述多個子字線被配置成響應于所述多個主字線中的每個的信號而被驅動。在半導體集成電路器件中，所述多個子字線從分別布置在單元陣列區的兩個邊緣處的子字線驅動器區向單元陣列區延伸，并且，從單元陣列區的一個子字線驅動器區延伸的多個子字線中的選中的一個子字線和與所述選中的子字線相鄰的另一個子字線，分別響應于不同操作的主字線的信號而被驅動。

在本發明的另一個實施例中，一種半導體集成電路器件的子字線驅動器包括：半導體襯底，所述半導體襯底被配置成包括具有PMOS晶體管的N阱和具有NMOS晶體管的P阱；四個子字線，所述四個子字線被配置成平行延伸在N阱和P阱之上；第一至第四子字線選擇線，所述第一至第四子字線選擇線被配置成沿與所述四個子字線交叉的方向延伸且被形成在所述N阱上；一對VSS線，所述一對VSS線被配置成形成在P阱上，且形成為與子字線的延伸方向平行；第一主字線，所述第一主字線被配置成包括第一部分和第二部分，所述第一部分與所述子字線選擇線中的兩個子字線選擇線具有兩個交叉處，所述第二部分與所述VSS線對交叉；以及第二主字線，所述第二主字線被配置成包括第一部分和第二部分，所述第一部分與所述子字線選擇線中的另外兩個子字線選擇線具有兩個交叉處，所述第二部分與所述VSS線對交叉。

在本發明的另一個實施例中，一種半導體集成電路器件的子字線驅動器包括：半導體襯底，所述半導體襯底被配置成包括具有PMOS晶體管的N阱和具有NMOS晶體管的P阱；四個子字線，所述四個子字線被配置成平行延伸在N阱和P阱之上；子字線選擇線，所述子字線選擇線被配置成沿與四個子字線平行的方向延伸；第一和第二VSS線，所述第一和第二VSS線被配置成形成在沿與子字線的延伸方向垂直的方向延伸的P阱上，且以預定間距彼此間隔開；第一主字線，所述第一主字線被配置成包括基本上與四個子字線交叉的一對條形電極、和與第一VSS線交叉的分支電極；第二主字線，所述第二主字線被配置成包括基本上與四個子字線交叉的一對條形電極、和與第二VSS線交叉的分支電極；第三主字線，所述第三主字線被配置成包括基本上與四個子字線交叉的一對條形電極、和與第一VSS線交叉的分支電極；以及第四主字線，所述第四主字線被配置成包括基本上與四個子字線交叉的一對條形電極、和與第二VSS線交叉的分支電極。在子字線驅動器中，子字線驅動器還包括位于第一和第三主字線的分支電極之間的第一保持器晶體管、和位于第二和第四主字線的分支電極之間的第二保持器晶體管。

在本發明的另一個實施例中，一種半導體集成電路器件包括多個子字線驅動器，所述多個字線被配置成響應于主字線的信號而驅動子字線。在半導體集成電路器件中，相鄰的子字線驅動器響應于具有不同邏輯電平的主字線信號而分別驅動子字線，以便省略保持器晶體管。