[發明專利]DDR信號布線封裝基板以及DDR信號布線封裝方法

有效

• 申請號: 201210324768.5
• 申請日: 2012-09-05
• 公開（公告）號: CN102800644A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 胡晉;丁亞軍;金利峰;李川;王玲秋;王彥輝
• 申請（專利權）人: 無錫江南計算技術研究所
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/12;H01L21/58;H01L21/60
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246
• 代理人: 龔燮英

1.一種DDR信號布線封裝基板，其特征在于包括：

在所述DDR信號布線封裝基板的芯片上對稱放置的多個DDR存儲控制模塊；

在所述DDR信號布線封裝基板的所述芯片之外的區域中布置的與所述多個DDR存儲控制模塊相對應地對稱布置的多個存儲控制信號引腳；以及

將所述多個DDR存儲控制模塊之一分別相對應地連接至所述多個存儲控制信號引腳之一的對稱布置的多個DDR信號線。

2.根據權利要求1所述的DDR信號布線封裝基板，其特征在于，所述DDR信號布線封裝基板依次層疊的地平面層、第一介質層、DDR信號層、第二介質層、以及DDR接口電源平面層；其中所述DDR接口電源平面層和所述地平面層同時選擇作為DDR信號的參考平面層。

3.根據權利要求1或2所述的DDR信號布線封裝基板，其特征在于進一步包括：將所述多個DDR存儲控制模塊之一分別相對應地連接至所述多個存儲控制信號引腳之一而形成的對稱布置的多個DDR信號過孔。

4.根據權利要求3所述的DDR信號布線封裝基板，其特征在于進一步包括：參照所述多個DDR信號過孔的位置相應地對稱布置的多個地孔。

5.根據權利要求1至4之一所述的DDR信號布線封裝基板，其特征在于，多個DDR存儲控制模塊包括第一DDR存儲控制模塊、第二DDR存儲控制模塊、第三DDR存儲控制模塊以及第四DDR存儲控制模塊；

其中，所述第一DDR存儲控制模塊、所述第二DDR存儲控制模塊、所述第三DDR存儲控制模塊以及所述第四DDR存儲控制模塊位于一個正方形的四個角的位置處；

并且其中所述第一存儲控制信號引腳、所述第二存儲控制信號引腳、所述第三存儲控制信號引腳以及所述第四存儲控制信號引腳位于另一個正方形的四個角的位置處；

并且其中所述第一DDR信號過孔、所述第二DDR信號過孔、所述第三DDR信號過孔以及所述第四DDR信號過孔位于又一個正方形的四個角的位置處；

并且其中所述第一地孔、所述第二地孔、所述第三地孔以及所述第四地孔位于又另一個正方形的四個角的位置處。

6.一種DDR信號布線封裝方法，其特征在于包括：

在所述DDR信號布線封裝基板的芯片上對稱放置多個DDR存儲控制模塊；

在所述DDR信號布線封裝基板的所述芯片之外的區域中，與所述多個DDR存儲控制模塊相對應地對稱布置多個存儲控制信號引腳；以及

利用對稱布置的多個DDR信號線將所述多個DDR存儲控制模塊之一分別相對應地連接至所述多個存儲控制信號引腳之一。

7.根據權利要求6所述的DDR信號布線封裝方法，其特征在于，所述DDR信號布線封裝基板包括：依次層疊的地平面層、第一介質層、DDR信號層、第二介質層、以及DDR接口電源平面層；其中所述DDR接口電源平面層和所述地平面層同時選擇作為DDR信號的參考平面層。

8.根據權利要求6或7所述的DDR信號布線封裝方法，其特征在于進一步包括：通過對稱布置的多個DDR信號過孔，將所述多個DDR存儲控制模塊之一分別相對應地連接至所述多個存儲控制信號引腳之一。

9.根據權利要求6或7所述的DDR信號布線封裝方法，其特征在于進一步包括：參照所述多個DDR信號過孔的位置相應地對稱布置多個地孔。

10.根據權利要求6或7所述的DDR信號布線封裝方法，其特征在于，多個DDR存儲控制模塊包括第一DDR存儲控制模塊、第二DDR存儲控制模塊、第三DDR存儲控制模塊以及第四DDR存儲控制模塊；

其中，所述第一DDR存儲控制模塊、所述第二DDR存儲控制模塊、所述第三DDR存儲控制模塊以及所述第四DDR存儲控制模塊位于一個正方形的四個角的位置處；

并且其中所述第一存儲控制信號引腳、所述第二存儲控制信號引腳、所述第三存儲控制信號引腳以及所述第四存儲控制信號引腳位于另一個正方形的四個角的位置處；

并且其中所述第一DDR信號過孔、所述第二DDR信號過孔、所述第三DDR信號過孔以及所述第四DDR信號過孔位于又一個正方形的四個角的位置處；

并且其中所述第一地孔、所述第二地孔、所述第三地孔以及所述第四地孔位于又另一個正方形的四個角的位置處。