[發明專利]增強型半導體器件

無效

• 申請號: 201210323281.5
• 申請日: 2012-09-04
• 公開（公告）號: CN102856355A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 程凱
• 申請（專利權）人: 程凱
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/778
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

1.一種增強型半導體器件，該增強型半導體器件為形成在一襯底上的外延多層結構，其特征在于：

所述外延多層結構從襯底方向依次包括氮化物溝道層和氮化物勢壘層;所述外延多層結構中設有脊形凸起；脊形凸起處存在氮化物的非極性面或半極性面，至少有部分二維電子氣是中斷的；在該外延多層結構中的脊形凸起處上定義有柵極區域和分別位于上述柵極區域兩側的兩處歐姆接觸區域；

位于上述柵極區域的柵電極；

位于上述兩處歐姆接觸區域的源電極和漏電極。

2.如權利要求1所述的增強型半導體器件，其特征在于：進一步包括介質層，形成于所述氮化物勢壘層上。

3.如權利要求2所述的增強型半導體器件，其特征在于：所述介質層為SiN、SiCN、SiO₂、SiAlN、Al₂O₃、AlON、SiON、HfO₂中的一種或多種的組合。

4.如權利要求1或2所述的增強型半導體器件，其特征在于：所述外延多層結構還包括形成于氮化物勢壘層上的氮化物冒層，所述氮化物冒層為氮化鎵或鋁鎵氮。

5.如權利要求1或2所述的增強型半導體器件，其特征在于：氮化物勢壘層和氮化物溝道層之間設有氮化鋁中間層。

6.如權利要求1或2所述的增強型半導體器件，其特征在于：所述脊形凸起的截面形狀可以是矩形、三角形、梯形、鋸齒形、多邊形、半圓形、U形中的一種或幾種圖形的組合。

7.如權利要求1所述的增強型半導體器件，其特征在于：所述襯底上進一步包括氮化物成核層和/或氮化物緩沖層。

8.如權利要求1所述的增強型半導體器件，其特征在于：所述襯底為藍寶石、碳化硅、硅、鈮酸鋰、SOI、氮化鎵和氮化鋁中的一種。