[發明專利]一種金剛線切割硅片的清洗方法

有效

• 申請號: 201210320133.8
• 申請日: 2012-08-31
• 公開（公告）號: CN103658096A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 崔三觀;蔡龍;袁剛;劉學;楊長劍
• 申請（專利權）人: 浙江昱輝陽光能源有限公司
• 主分類號: B08B3/08
• 分類號: B08B3/08;B08B3/12;B08B3/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

技術領域

本發明涉及硅片清洗工藝技術領域，更具體地說，涉及一種金剛線切割硅片的清洗方法。

背景技術

在能源日益緊張的今天，研究、開發新能源是當今能源領域的一個主要課題。太陽能以其無污染、取之不竭、無地域性限制等優點成為當今能源領域研究、開發的一個主要方向。利用晶體硅太陽能電池進行光致發電是當今利用太陽能的一種主要方式。硅片是晶體硅太陽能電池載體，是由晶體硅棒經過切割制備而成，硅片清洗效果的好壞對硅片制絨乃至太陽能電池的轉換效率有重要的影響。

為了得到高潔凈度的硅片，人們已研制開發出很多硅晶片清洗工藝，如濕法化學清洗、RCA標準清洗、干法清洗、超聲清洗、鼓泡清洗、擦拭法、高壓噴射法、流體動力學法等。清洗硅片方法雖多，但均僅適合當前普通砂漿切割方式的硅片。然而，這種游離磨料切割方式耗時長、效率低，且通常使用的SiC和PEG混合砂漿切割后的廢料處理困難，環保壓力大。

為了解決這問題，人們開發出固結磨料批量切割硅片的新技術，即用金剛線切割硅晶片。其采用對環境危害極小的水基冷卻液和高效的金剛線替代SiC、PEG的混合砂漿與普通鋼線，切割速度是普通砂漿切割的2-3倍。眾所周知，金剛線切割方式對硅片的表面形貌影響與砂漿切割方式不一樣，如繼續用傳統清洗方法來清洗金剛線切割的硅片，并不能有效的去除硅片表面的雜質，清洗后硅片表面潔凈度較低，硅片制絨后絨面均勻性差。因此，如何有效去除金剛線切割硅片的表面雜質，提高其表面潔凈度是硅片清洗時一個亟待解決的問題。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明提供一種金剛線切割硅片的清洗方法，該方法能夠有效提高硅片表面的潔凈度，硅片制絨后絨面的均勻性較好。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種金剛線切割硅片的清洗方法，所述清洗方法包括：

對切割好的硅片進行預清洗；

采用活化清洗劑對預清洗后的硅片進行活化清洗；

其中，所述活化清洗劑為雙氧水、氫氧化鈉以及純水構成的混合試劑。

優選的，上述清洗方法中，所述活化清洗劑中雙氧水的濃度為2.5%Wt-9.5%Wt，氫氧化鈉的濃度為0.025%Wt-0.1%Wt。

優選的，上述清洗方法中，所述活化清洗包括：

將預清洗后的硅片放入溫度為35℃-55℃的所述活化清洗劑中進行超聲清洗4min-5min；

對硅片進行純水超聲清洗。

優選的，上述清洗方法中，所述純水清洗包括：

將經過所述活化清洗劑清洗后的硅片放入帶二級溢流槽的純水槽進行超聲清洗，其中，水溫為40℃-50℃，清洗時間為4min-5min，純水槽的溢流流量為4L/min-12L/min。

優選的，上述清洗方法中，所述預清洗包括：

對切割后仍粘結在粘膠板上的硅片進行沖洗；

對所述硅片進行脫膠處理；

將脫膠后的硅片放入盛有水溫為20℃-30℃的純水插片槽中將硅片一張張分開，并將其一張張的插到片盒中，再將一盒盒的硅片放入籃筐中；

對放入籃筐中的硅片進行第一次藥劑槽超聲清洗，其中，所述第一次藥劑槽超聲清洗的清洗試劑是濃度為0.4%Wt-0.8%Wt的草酸溶液，清洗時間為4min-5min，清洗溫度為40℃-50℃；

對經過第一次藥劑槽超聲清洗后的所述籃筐中的硅片進行第一次純水超聲清洗；

對經過第一次純水超聲清洗后的所述籃筐中的硅片進行第二次藥劑槽超聲清洗，其中，所述第二次藥劑槽超聲清洗的清洗試劑是濃度為2.0%Wt-4.0%Wt的硅片專用清洗劑溶液，清洗溫度為50℃-60℃，清洗時間為4min-5min；

對經過第二次藥劑槽超聲清洗后的所述籃筐中的硅片進行第二次純水超聲清洗。

優選的，上述清洗方法中，所述沖洗為：將切割后仍粘結在粘膠板上的硅片放到有噴淋、漂洗、超聲交替進行功能的自動預清洗機上清洗5min-10min；

其中，水壓為0.2MPa-0.3MPa，水溫為20℃-35℃，沖洗用水包括：冷卻回流水、或自來水、或純水。

優選的，上述清洗方法中，所述脫膠包括：

將粘結有硅片的粘膠板浸入溫度為50℃-70℃的熱水中浸泡4min-7min，使硅片與粘膠板的粘膠面軟化；

分多次將硅片從所述粘膠板上取下；