[發(fā)明專利]光電裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210319964.3
• 申請日: 2012-08-31
• 公開（公告）號: CN103066133A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李斗烈;金永鎮(zhèn);金東燮;牟燦濱;金英水;樸映相
• 申請（專利權(quán)）人: 三星SDI株式會(huì)社
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0352
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星

1.一種光電裝置，包括：

位于基底上的第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有不同的導(dǎo)電類型；

位于第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的第一電極和位于第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的第二電極；

與第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相鄰的層間絕緣結(jié)構(gòu)，層間絕緣結(jié)構(gòu)將第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分開并將第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與第二電極分開。

2.如權(quán)利要求1所述的光電裝置，其中，第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有第一面積的第一區(qū)域，第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有第二面積的第二區(qū)域，第一區(qū)域的第一面積大于第二區(qū)域的第二面積。

3.如權(quán)利要求2所述的光電裝置，其中，第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有島狀，使得第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)被第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)圍繞。

4.如權(quán)利要求2所述的光電裝置，其中，第一電極和第二電極具有相同的寬度。

5.如權(quán)利要求1所述的光電裝置，其中，第二電極與第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)疊置。

6.如權(quán)利要求1所述的光電裝置，其中，層間絕緣結(jié)構(gòu)包括通孔，第二電極通過通孔連接到第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求1所述的光電裝置，其中，層間絕緣結(jié)構(gòu)包括第一部分，第一部分位于基底上的第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間。

8.如權(quán)利要求7所述的光電裝置，其中，層間絕緣結(jié)構(gòu)的第一部分圍繞第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

9.如權(quán)利要求7所述的光電裝置，其中，層間絕緣結(jié)構(gòu)的第一部分完全圍繞第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求7所述的光電裝置，其中，層間絕緣結(jié)構(gòu)包括位于第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的第二部分，使得第二部分位于第二電極和第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間。

11.如權(quán)利要求10所述的光電裝置，其中，層間絕緣結(jié)構(gòu)的第一部分和第二部分一體地形成為一個(gè)部件。

12.如權(quán)利要求10所述的光電裝置，其中，層間絕緣結(jié)構(gòu)的第二部分的沿著第一方向的寬度大于第二電極的沿著第一方向的寬度，第一方向是在第一電極和第二電極之間延伸的方向。

13.如權(quán)利要求1所述的光電裝置，所述光電裝置還包括間隙絕緣層，間隙絕緣層圍繞第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，并且層間絕緣結(jié)構(gòu)位于間隙絕緣層上。

14.如權(quán)利要求1所述的光電裝置，其中，第一電極的上表面在距基底達(dá)第一距離處，第二電極的上表面在距基底達(dá)第二距離處，第二距離大于第一距離。

15.如權(quán)利要求1所述的光電裝置，其中，層間絕緣結(jié)構(gòu)和第一電極沿著在層間絕緣結(jié)構(gòu)和第一電極之間的方向上延伸的水平線布置。

16.如權(quán)利要求1所述的光電裝置，所述光電裝置還包括：

基底上的鈍化層，鈍化層位于基底的與第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相反的側(cè)部；

位于鈍化層上的減反射層。

17.如權(quán)利要求1所述的光電裝置，其中，第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基底上的第一本征層、第一本征層上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層以及第一本征層和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的第一透明導(dǎo)電層。

18.如權(quán)利要求17所述的光電裝置，其中，第一透明導(dǎo)電層覆蓋第一本征層和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的橫向側(cè)部并覆蓋第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的上表面。

19.如權(quán)利要求17所述的光電裝置，其中，第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基底上的第二本征層、第二本征層上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層以及第二本征層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的第二透明導(dǎo)電層；

第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層具有不同的導(dǎo)電類型。

20.如權(quán)利要求19所述的光電裝置，其中，第二透明導(dǎo)電層覆蓋第二本征層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的橫向側(cè)部并覆蓋第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的上表面。