[發(fā)明專利]光電裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210319964.3
• 申請日: 2012-08-31
• 公開（公告）號(hào): CN103066133A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李斗烈;金永鎮(zhèn);金東燮;牟燦濱;金英水;樸映相
• 申請（專利權(quán)）人: 三星SDI株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L31/0224
• 分類號(hào): H01L31/0224;H01L31/0352
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種光電裝置。

背景技術(shù)

已經(jīng)加快了對清潔能源的開發(fā)。示例性清潔能源包括利用太陽能電池產(chǎn)生的光伏能，在太陽能電池中，陽光被轉(zhuǎn)變成能量。然而，與產(chǎn)生熱能相比，用于產(chǎn)生目前在工業(yè)上通過利用太陽能電池產(chǎn)生的光伏能的成本較高。

發(fā)明內(nèi)容

可通過提供一種光電裝置來實(shí)現(xiàn)實(shí)施例，所述光電裝置包括：第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，位于基底上，第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有不同的導(dǎo)電類型；位于第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的第一電極和位于第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的第二電極；層間絕緣結(jié)構(gòu)，與第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相鄰。層間絕緣結(jié)構(gòu)將第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分開并將第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與第二電極分開。

第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可具有第一面積的第一區(qū)域，第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可具有第二面積的第二區(qū)域。第一區(qū)域的第一面積可基本上大于第二區(qū)域的第二面積。第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可具有島狀，使得第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)被第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)圍繞。

第一電極和第二電極可具有基本上相同的寬度。第二電極可與第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)疊置。層間絕緣結(jié)構(gòu)可包括通孔，第二電極可通過通孔連接到第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

層間絕緣結(jié)構(gòu)可包括第一部分。第一部分可位于基底上的第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間。層間絕緣結(jié)構(gòu)的第一部分可圍繞第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。層間絕緣結(jié)構(gòu)的第一部分可完全圍繞第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

層間絕緣結(jié)構(gòu)可包括第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的第二部分，使得第二部分位于第二電極和第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間。層間絕緣結(jié)構(gòu)的第一部分和第二部分可一體地形成為一個(gè)部件。層間絕緣結(jié)構(gòu)的第二部分的沿著第一方向的寬度可大于第二電極的沿著第一方向的寬度。第一方向可以是在第一電極和第二電極之間延伸的方向。

所述光電裝置還可包括間隙絕緣層，間隙絕緣層可圍繞第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，并且層間絕緣結(jié)構(gòu)位于間隙絕緣層上。第一電極的上表面可以在距基底達(dá)第一距離處，第二電極的上表面可以在距基底達(dá)第二距離處。第二距離可大于第一距離。

層間絕緣結(jié)構(gòu)和第一電極可以沿著在層間絕緣結(jié)構(gòu)和第一電極之間的方向上延伸的水平線布置。所述光電裝置可包括基底上的鈍化層。鈍化層可位于基底的與第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相反的側(cè)部。光電裝置可包括位于鈍化層上的減反射層。

第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可包括基底上的第一本征層、第一本征層上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層以及第一本征層和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的第一透明導(dǎo)電層。第一透明導(dǎo)電層可覆蓋第一本征層和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的橫向側(cè)部并可覆蓋第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的上表面。

第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可包括基底上的第二本征層、第二本征層上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層以及第二本征層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的第二透明導(dǎo)電層。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層可具有不同的導(dǎo)電類型。第二透明導(dǎo)電層可覆蓋第二本征層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的橫向側(cè)部并可覆蓋第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的上表面。

還可通過提供一種制造光電裝置的方法來實(shí)現(xiàn)實(shí)施例，所述方法包括以下步驟：在基底上形成第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；在除了第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之外的區(qū)域中形成第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有不同的導(dǎo)電類型；在第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上形成層間絕緣結(jié)構(gòu)，使得層間絕緣結(jié)構(gòu)將第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分開；在第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上形成第一電極并在第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上形成第二電極，從而通過層間絕緣結(jié)構(gòu)使第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與第二電極分開。

附圖說明

通過參照附圖對示例性實(shí)施例進(jìn)行的詳細(xì)描述，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，特點(diǎn)將會(huì)變得顯而易見，其中：

圖1示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的光電裝置的示意性透視圖；

圖2示出了沿著圖1的□-□線截取的光電裝置的剖視圖；

圖3A示出了第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間的示例性布置關(guān)系的示意性平面圖；

圖3B示出了第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與第一電極和第二電極之間的示例性布置關(guān)系的示意性平面圖；

圖3C示出了層間絕緣層的示例性布置的示意性平面圖；

圖4示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的光電裝置的示意性透視圖；

圖5示出了沿著圖4的□-□線截取的光電裝置的剖視圖；

圖6A至圖6V示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的繪示在制造光電裝置的方法中的階段的按順序的剖視圖。

具體實(shí)施方式