[發明專利]以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻裝置及方法無效
| 申請號: | 201210319207.6 | 申請日: | 2012-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN102983061A | 公開(公告)日: | 2013-03-20 |
| 發明(設計)人: | 陳文隆;顏錫鴻;陳毓正;馬俊麒;余智林 | 申請(專利權)人: | 弘塑科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 馮志云;呂俊清 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 擾動 邊緣 濕制程 蝕刻 裝置 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種濕制程蝕刻方法及裝置,尤其涉及一種以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻方法及裝置。
背景技術
一般在進行濕式蝕刻時,首先反應物利用擴散效應,通過一層薄薄的擴散邊界層,以到達被蝕刻薄膜表面。然后,這些反應物將與薄膜表面的分子產生化學反應,并生成各種反應生成物。這些位于薄膜表面的反應生成物,也將利用擴散效應,通過擴散邊界層到達溶液里,而后隨著溶液排出。為了增加擴散效應,有利用磁鐵帶動蝕刻槽底部的攪棒以攪拌蝕刻液,但此種方式僅能攪動下層的蝕刻液,對于大面積的玻璃或晶圓的蝕刻,亦不能到達載具的凹槽(Slot)處,會形成死角。授予Jellrey?C.Calio等人的美國專利第6,054,162號教導一種攪拌蝕刻液的方法及裝置,在蝕刻槽底部放出氣泡,以攪拌蝕刻液,但仍不能攪動到載具的凹槽(Slot)處,亦會形成死角。
發明內容
本發明所要解決的技術問題就是提供一種以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻裝置及方法,利用攪棒往復式攪拌產生微小振動,提高蝕刻均勻度,而提升良率。
本發明另提供一種以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻裝置及方法,以排除載具凹槽處的流場死角,提高蝕刻均勻度,進而提升良率。
為解決上述技術問題,本發明采用如下技術方案:一種以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻裝置,包括濕制程蝕刻槽,所述濕制程蝕刻槽內設有蝕刻液及載具,所述載具設有多個凹槽,所述凹槽置放有工件,其特征在于,還包括兩攪棒組,所述兩攪棒組分別設置于所述載具的兩側,每一攪棒組各具有至少一攪棒,所述攪棒由驅動機構所帶動,用于擾動所述蝕刻液。
作為優選,所述攪棒組的攪棒設置為一支或多支。
作為優選,所述攪棒組的攪棒形成有寬部及窄部。
作為優選,所述攪棒組的驅動機構由馬達連接連桿組成。
作為優選,所述攪棒組的驅動機構由氣壓缸連接連桿組成。
作為另一種優選的方案:一種以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻方法,包括步驟如下:將工件置于載具的凹槽內;將置有所述工件的載具放置于內設有蝕刻液的濕制程蝕刻槽內;以及將設置于所述載具兩側的兩攪棒組的攪棒以驅動機構帶動,用于擾動所述蝕刻液。
作為優選,所述兩攪棒組同向或反向的移動。
作為優選,所述攪棒組的攪棒的攪拌頻率為每分鐘5至20次。
作為優選,所述攪棒組的攪棒設置為一支或多支。
作為優選,所述攪棒組的攪棒形成有寬部及窄部。
本發明具有以下有益的效果:
本發明利用攪棒往復式攪拌,可以擾動蝕刻液產生不同方向的水波來推動工件的兩邊,使其一邊向前,一邊向后抵住凹槽,使工件產生微小振動(Micro-vibration),可使得位于載具(Cassette)內各工件能夠得到均勻的蝕刻液分布,尤其是在固定工件的凹槽處,為蝕刻液最不易擴散到達的死角,使用攪棒的往復式攪拌,可提高工件的蝕刻均勻度。
經由進一步地調整攪拌頻率及攪棒的形狀、數量及位置,更可排除載具凹槽處的流場死角,有效降低擴散邊界層厚度,進而提高工件的蝕刻均勻度。
為使能更進一步了解本發明的特征及技術內容,請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖,然而附圖僅提供參考與說明用,并非用來對本發明加以限制。
附圖說明
圖1為本發明濕式蝕刻的擴散邊界層理論的示意圖。
圖2為本發明實施例以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻裝置的示意圖。
圖3為本發明另一實施例攪棒的示意圖。
圖4為本發明實施例以攪棒擾動載具邊緣形成水波的示意圖。
圖5為本發明攪棒反向擾動的示意圖。
其中,附圖標記說明如下:
1??濕制程蝕刻槽
2??攪棒組
???21??攪棒
???????211??窄部
???????212??寬部
???22??驅動機構
???????221??連桿
???????222??氣壓缸
3??載具
???31??凹槽
4??工件
A??水波
B??水波
a??反應物
b??擴散邊界層
c??薄膜
d??反應生成物
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





