[發明專利]一種提高化學溶液法制備CeO2薄膜臨界厚度的方法無效
| 申請號: | 201210318924.7 | 申請日: | 2012-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN102864444A | 公開(公告)日: | 2013-01-09 |
| 發明(設計)人: | 雷鳴;黃藝丹;趙勇;蒲明華;武偉;王文濤;張紅;張勇 | 申請(專利權)人: | 西南交通大學 |
| 主分類號: | C23C20/08 | 分類號: | C23C20/08;H01B13/00 |
| 代理公司: | 成都中亞專利代理有限公司 51126 | 代理人: | 王崗 |
| 地址: | 610031 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提高 化學 溶液 法制 ceo sub 薄膜 臨界 厚度 方法 | ||
1.一種提高化學溶液法制備CeO2薄膜臨界厚度的方法,其特征依次由以下步驟構成:
a、硝酸鹽的制備:按稀土與鈰離子比x:1-x,0.01≤x≤0.5配制稀土硝酸鹽與硝酸亞鈰混合物;
b、膠體制備:將配制的稀土硝酸鹽與硝酸亞鈰溶解在高分子有機溶劑中;?
c、膠體涂敷與干燥:將b步中膠體均勻涂覆于織構基底上,后干燥;
d、?分解成相:將干燥樣品放入通H2/Ar還原氣氛的燒結爐中,經過350?oC-550?oC分解,后升溫至1000oC-1200oC成相,隨爐冷卻。
2.根據權利要求1所述的一種提高化學溶液法制備CeO2薄膜臨界厚度的方法,其特征在于:所述a步中,稀土為釔?(Y)、鑭(La)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪?(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑?(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、镥(Lu)中的一種。
3.根據權利要求1所述的一種提高化學溶液法制備CeO2薄膜臨界厚度的方法,其特征在于:所述b步中,高分子有機溶劑為聚甲基丙烯酸或聚丙烯酸與N-N二甲基甲酰胺的聚合物,此溶解過程中引入超聲儀器輔助,使得膠體獲得離子水平上的均勻分布。
4.根據權利要求1所述的一種提高化學溶液法制備CeO2薄膜臨界厚度的方法,其特征在于:所述c步中,織構基帶可為:NiW合金基帶、NiCr合金基帶、NiAg合金基帶以及其他織構基帶中的一種。
5.根據權利要求1所述的一種提高化學溶液法制備CeO2薄膜臨界厚度的方法,其特征在于:所述c步中,涂覆方法是:旋涂法、提拉法、狹縫噴涂法等中一種,涂覆時須保證薄膜厚度大于最小濕厚度,薄膜能夠連續、完全覆蓋基底。
6.根據權利要求1所述的一種提高化學溶液法制備CeO2薄膜臨界厚度的方法,其特征在于:所述d步中,?以1℃/min?-5℃/min速率升至350?oC-550?oC?,保證高分子有機物和硝酸鹽充分分解,后升溫至1000oC-1200oC成相溫度,保溫1-2小時,隨爐冷卻。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C20-00 通過固態覆層化合物抑或覆層形成化合物懸浮液分解且覆層中不留存表面材料反應產物的化學鍍覆
C23C20-02 .鍍金屬材料
C23C20-06 .鍍金屬材料以外的無機材料
C23C20-08 ..鍍化合物、混合物或固溶體,例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C20-04 ..鍍金屬





