[發明專利]正型光敏樹脂組合物、使用其制備的光敏樹脂膜、以及包含該光敏樹脂膜的半導體器件

無效

• 申請號: 201210316718.2
• 申請日: 2012-08-30
• 公開（公告）號: CN103176363A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 趙顯龍;金尚洙;尹銀卿;李種和;李俊昊;黃銀夏;權志倫;李珍泳
• 申請（專利權）人: 第一毛織株式會社
• 主分類號: G03F7/039
• 分類號: G03F7/039;G03F7/016;H01L23/29
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 李丙林;張英

相關申請

本申請要求在2011年12月23日提交于韓國知識產權局的韓國專利申請No.10-2011-0141439的優先權和權益，其所有內容通過引用合并入本文中。

技術領域

本公開內容涉及正型光敏樹脂組合物（positive?photosensitive?resin?composition）、使用其制備的光敏樹脂膜和包含該光敏樹脂膜的半導體器件。

背景技術

作為發光二極管的絕緣層材料的聚酰亞胺樹脂在高于或等于200°C的工藝（過程，process）中具有極好的耐熱性、穩定性，和機械強度、低的介電常數（低-k）、以及在涂層表面上極好的平面化特征（planarization?characteristic），包括破壞裝置可靠性的少量雜質，并且容易得到精良的圖案從而已經吸引許多關注。

用于為有機發光二極管形成絕緣層或半導體保護層的常規聚酰亞胺樹脂需要額外的光刻工藝和隨后在圖案化之后使用有機溶劑的蝕刻過程，從而具有復雜過程、額外費用和抗蝕圖案溶脹（swelling）的問題，以及由于有機溶劑導致的環境問題。

另一方面，可以在用于有機發光二極管（OLED）顯示器的半導體電路保護層或像素晶體層形成期間的干蝕刻方法中去除殘留在曝光部分中的有機材料。在本文中，干蝕刻選擇性地去除暴露的圖案部分中的殘余物。因此，研究的是對未曝光部分中的蝕刻具有較小影響的樹脂材料。

此外，該樹脂材料需要包含更多的碳，以便達到極好的耐蝕刻性。然而，樹脂材料具有暴露在大于或等于400°C的高溫下的問題。

發明內容

一個實施方式提供了一種正型光敏樹脂組合物，具有改善的光敏性（感光性）、在曝光部分高的殘余物去除率、和極好的耐蝕刻性，以及耐熱性。

另一種實施方式提供了使用正型光敏樹脂組合物制備的光敏樹脂膜。

又一種實施方式提供了包含光敏樹脂膜的半導體器件。

一個實施方式提供了正型光敏樹脂組合物，其包括（A）由下列化學式1表示的含磷二胺制備的堿溶性樹脂；（B）光敏重氮醌（二氮醌，diazoquinone）化合物；以及（C）溶劑。

[化學式1]

在化學式1中，

R'和R″每一個獨立地是氫、取代的或未取代的C1至C20的烷基、取代的或未取代的C2至C20的烯基、取代的或未取代的C2至C20的炔基、取代的或未取代的C1至C20的烷氧基、取代的或未取代的C3至C20的環烷基、取代的或未取代的C3至C20的環烯基、取代的或未取代的C3至C20的環炔基、取代的或未取代的C2至C20的雜環烷基、取代的或未取代的C2至C20的雜環烯基、取代的或未取代的C2至C20的雜環炔基、取代的或未取代的C6至C30的芳基，

R是取代的或未取代的C1至C20的烷基、取代的或未取代的C2至C20的烯基、取代的或未取代的C2至C20的炔基、取代的或未取代的C1至C20的烷氧基、取代的或未取代的C3至C20的環烷基、取代的或未取代的C3至C20的環烯基、取代的或未取代的C3至C20的環炔基、取代的或未取代的C2至C20的雜環烷基、取代的或未取代的C2至C20的雜環烯基、取代的或未取代的C2至C20的雜環炔基、取代的或未取代的C6至C30的芳基，以及

n'和n″是從0到3的整數。

含磷二胺可以包括選自由下列化學式2和3表示的化合物中的至少一種。

[化學式2]

[化學式3]

堿溶性樹脂可以包括聚苯并噁唑前體，其包括由下列化學式4表示的重復單元。

[化學式4]

在化學式4中，

X¹是由以上化學式1表示的含磷二胺衍生的殘基，并且

Y¹是取代的或未取代的C6至C30的芳香族有機基團，取代或未取代

的二價至六價的C1至C30的脂肪族有機基團（aliphatic?organic?groups），0或取代的或未取代的二價至六價的C3至C30的脂環族有機基團。

堿溶性樹脂可以由含磷二胺和芳香二胺制備，并且該芳香二胺可以包

括選自下列化學式8和9中的至少一種。

[化學式8]

[化學式9]

在化學式8和9中，