[發明專利]晶片的分割方法

在審

• 申請號: 201210316434.3
• 申請日: 2012-08-30
• 公開（公告）號: CN102969236A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 荒井一尚
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/306
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

技術領域

本發明涉及將各種晶片分割成各個芯片的晶片的分割方法。

背景技術

通過分割預定線進行劃分而在表面上形成IC、LSI等器件的晶片，通過切削裝置或激光加工裝置而被分割為各個器件，在便攜電話機、個人電腦等各種電氣設備等中利用。

作為將晶片分割為各個器件的方法，公開有如下所述的技術：通過將相對于晶片具有透過性的波長的激光光線會聚到分割預定線的內部，沿著分割預定線形成改質層，之后，通過對晶片施加外力而以改質層為起點分割成器件，并且該技術投入到了實際使用中（例如，參照專利文獻1）。

【專利文獻1】日本專利第3408805號公報

但是，當在晶片上施加外力而分割成各個器件時，由于改質層會粉碎，因此細粉末附著在器件的表面，存在使器件的品質下降的問題。

另外，由于在晶片分割之后改質層會殘留在器件的側面，因此存在殘留的改質層使器件的抗折強度下降的問題。

發明內容

本發明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于，在通過照射激光光線而在晶片的內部形成改質層，以改質層為起點將晶片分割成各個器件時，不使器件的品質和抗折強度下降。

根據本發明，提供晶片的分割方法，將由分割預定線劃分而在表面上形成有多個器件的晶片分割成各個器件，該晶片的分割方法包括：改質層形成步驟，將相對于晶片具有透過性的波長的激光光線的聚光點定位到分割預定線的內部來進行照射，在沿著該分割預定線的晶片的內部，形成從該晶片的表面附近到背面附近的改質層；以及蝕刻步驟，將蝕刻氣體或蝕刻液供給到該晶片，使該改質層侵蝕而將該晶片分割成各個器件。

優選的是，晶片的分割方法還包括：耐蝕刻掩模覆蓋步驟，在實施所述改質層形成步驟之前，在晶片的背面覆蓋耐蝕刻掩模；以及耐蝕刻掩模去除步驟，沿著該分割預定線來去除該耐蝕刻掩模，所述改質層形成步驟是通過從晶片的背面側對去除了該耐蝕刻掩模的部分照射激光光線來實施的。

作為替代方法，晶片的分割方法還包括：耐蝕刻掩模覆蓋步驟，在實施所述改質層形成步驟之前，在晶片的表面覆蓋耐蝕刻掩模；以及耐蝕刻掩模去除步驟，沿著該分割預定線去除該耐蝕刻掩模，所述改質層形成步驟是通過從晶片的表面側對去除了該耐蝕刻掩模的部分照射激光光線來實施的。

在本發明中，在蝕刻步驟中通過蝕刻氣體或蝕刻液來使改質層侵蝕，從而不粉碎改質層，因此能夠不產生細粉末而分割成器件。因此，不會使細粉末附著在器件的表面而使器件的品質下降。

另外，由于通過蝕刻來去除改質層，因此能夠防止由改質層的殘留引起的器件的抗折強度下降。

附圖說明

圖1是示出晶片的一例的立體圖。

圖2是示出將晶片的表面粘附在外周部安裝在環狀框架上的保護部件上的狀態的立體圖。

圖3是示出激光加工裝置的一例的立體圖。

圖4是示出改質層形成步驟的立體圖。

圖5是示出改質層形成步驟的剖視圖。

圖6是示出蝕刻步驟的立體圖。

圖7是示出被分割的晶片的立體圖。

圖8是示出被分割的晶片的剖視圖。

圖9是按每個步驟示出晶片的分割方法的第二例的剖視圖。

圖10是示出將晶片的背面粘附在外周部安裝在環狀框架上的保護部件上的狀態的立體圖。

圖11是按每個步驟示出晶片的分割方法的第三例的剖視圖。

圖12是示出被分割的晶片的立體圖。

符號說明

1：激光加工裝置

2：保持單元????20：保持面????21：固定部

3：激光加工單元

30：基座????31：照射頭

4：加工進給單元

40：滾珠絲杠????41：導軌????42：電機????43：滑動部

5：分度進給單元

50：滾珠絲杠????51：導軌????52：電機????53：基座????6：控制單元

W：晶片

W1：表面????L：分割預定線????D：器件

W2：背面

P：保護部件????F：框架

R1、R2、R3：改質層

G1、G2、G3、G4、G5：槽

M1、M2：耐蝕刻掩模

具體實施方式

1?第1實施方式

在圖1所示的晶片W中，在表面W1上以縱橫的方式形成有分割預定線L。并且，在通過分割預定線L劃分的區域形成有多個器件D。

（1）保護部件粘附步驟