[發明專利]晶片的分割方法

在審

• 申請號: 201210316434.3
• 申請日: 2012-08-30
• 公開（公告）號: CN102969236A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 荒井一尚
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/306
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

1.一種晶片的分割方法，將由分割預定線劃分而在表面上形成有多個器件的晶片分割成各個器件，該晶片的分割方法包括：

改質層形成步驟，將相對于晶片具有透過性的波長的激光光線的聚光點定位到分割預定線的內部來進行照射，在沿著該分割預定線的晶片的內部，形成從該晶片的表面附近到背面附近的改質層；以及

蝕刻步驟，將蝕刻氣體或蝕刻液供給到該晶片，使該改質層侵蝕而將該晶片分割成各個器件。

2.根據權利要求1所述的晶片的分割方法，其中，

該晶片的分割方法還包括：

耐蝕刻掩模覆蓋步驟，在實施所述改質層形成步驟之前，在晶片的背面覆蓋耐蝕刻掩模；以及

耐蝕刻掩模去除步驟，沿著該分割預定線來去除該耐蝕刻掩模，

所述改質層形成步驟是通過從晶片的背面側對去除了該耐蝕刻掩模的部分照射激光光線來實施的。

3.根據權利要求1所述的晶片的分割方法，其中，

該晶片的分割方法還包括：

耐蝕刻掩模覆蓋步驟，在實施所述改質層形成步驟之前，在晶片的表面覆蓋耐蝕刻掩模；以及

耐蝕刻掩模去除步驟，沿著該分割預定線去除該耐蝕刻掩模，

所述改質層形成步驟是通過從晶片的表面側對去除了該耐蝕刻掩模的部分照射激光光線來實施的。