[發(fā)明專利]光調(diào)制器

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210315703.4
• 申請(qǐng)日: 2012-08-31
• 公開（公告）號(hào): CN102798988A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃寓洋;殷志珍;馮成義;李文;張耀輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
• 主分類號(hào): G02F1/017
• 分類號(hào): G02F1/017;H04B10/04;H04B10/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于信號(hào)通信領(lǐng)域，尤其涉及一種GaN基藍(lán)綠光多量子阱空間光調(diào)制器，可以應(yīng)用在敵我識(shí)別，無人機(jī)，海上浮標(biāo)偵測(cè)和探礦、搜救等領(lǐng)域。

背景技術(shù)

現(xiàn)在的無線通訊系統(tǒng)，大部分是基于廣播式原理。

衛(wèi)星通信是目前最為主要的通信手段。這種通訊方式，由基站向外發(fā)射電磁波，被中繼站或者衛(wèi)星中轉(zhuǎn)后，被終端設(shè)備所接收。這種通訊方式的缺點(diǎn)在于，首先，需要基站或者衛(wèi)星系統(tǒng)配合，系統(tǒng)復(fù)雜。其次，這是一種廣播式系統(tǒng)，信號(hào)在自由空間進(jìn)行非定向的傳播，易被截獲，安全性較差。雖然可以采用各種加密方法，但仍然存在安全隱患。第三，廣播式通訊需要大功率發(fā)射和中繼裝置，難以將系統(tǒng)功耗降低，并實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的小型化。最后，這種廣播式通訊易被相鄰信道和外界干擾，造成信息失真、失效。

而另外一種被廣泛應(yīng)用的光纖通信方式，雖然能夠做到高速、可靠和保密，但對(duì)環(huán)境的要求較高，需要搭建光纖系統(tǒng)，不能在短時(shí)間內(nèi)建立起來。后調(diào)制自由空間光通信技術(shù)可以較好解決這些問題。這種技術(shù)結(jié)合了微波通信與光纖通信的優(yōu)點(diǎn)，既具有大容量、高速、保密性好和安全可靠的優(yōu)點(diǎn)，又不需要鋪設(shè)光纖，應(yīng)用靈活，可以作為無線通信和光纖通信的一種重要補(bǔ)充。然而，一般的后調(diào)制自由空間光通信系統(tǒng)使用的多量子阱空間光調(diào)制器，工作在850nm，980nm和1550nm等紅外波段，在大氣特別是在水下被吸收強(qiáng)烈，不能實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)距離的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通信。

有鑒于此，有必要提供一種新型的多量子阱空間光調(diào)制器。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種光調(diào)制器，該光調(diào)制器工作在藍(lán)綠光波段，大氣和水對(duì)其吸收較小，可以實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)距離的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)自由空間光通信。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種光調(diào)制器，包括量子阱有源層，其中，所述量子阱有源層由InGaN/GaN材料制成。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述光調(diào)制器還包括：

設(shè)置于所述量子阱有源層下方的第一接觸層、第一布拉格反射器層和襯底；

設(shè)置于所述量子阱有源層上方的第二接觸層。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一接觸層形成于所述量子阱有源層和第一布拉格反射器層之間。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述光調(diào)制器還包括第二布拉格反射器層，所述第二布拉格反射器層位于所述第二接觸層的上方。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述光調(diào)制器還包括形成于所述第一布拉格反射器層上的第一電極和形成于所述第二接觸層上的第二電極，所述第一電極為Ni/Au合金，所述第二電極為Ti/Al/Ni/Au合金。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一布拉格反射器層位于所述量子阱有源層和第一接觸層之間。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述光調(diào)制器還包括第二布拉格反射器層，所述第二布拉格反射器層位于所述第二接觸層和量子阱有源層之間。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述光調(diào)制器還包括形成于所述第一接觸層上的第一電極和形成于所述第二接觸層上的第二電極，所述第一電極為Ni/Au合金，所述第二電極為Ti/Al/Ni/Au合金。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述量子阱有源層的工作波長(zhǎng)為430~530nm。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的光調(diào)制器，采用InGaN/GaN量子阱有源層，可以工作在藍(lán)綠光波段，該波段是水下吸收很小的波段，避開了紅外波段，因此在應(yīng)用中可以解決紅外波段在大氣和水下被強(qiáng)烈吸收的問題，特別適用于水下光通信；本發(fā)明的光調(diào)制器是一種點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的通信，和現(xiàn)有的廣播式通信不同，因此不易被攔截，保密性好；量子阱光調(diào)制器的功耗低，可以使用電池驅(qū)動(dòng)，進(jìn)而可以在廣闊區(qū)間進(jìn)行多點(diǎn)分布布置，因此可廣泛應(yīng)用在敵我識(shí)別，無人機(jī)，海上浮標(biāo)偵測(cè)和探礦、搜救等領(lǐng)域。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請(qǐng)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1所示為本發(fā)明最佳實(shí)施例中光調(diào)制器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2所示為本發(fā)明具體實(shí)施例中光調(diào)制器的應(yīng)用示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明實(shí)施例公開了一種光調(diào)制器，包括量子阱有源層，所述量子阱有源層由InGaN/GaN材料制成。