[發明專利]光調制器無效
| 申請號： | 201210315703.4 | 申請日： | 2012-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN102798988A | 公開（公告）日： | 2012-11-28 |
| 發明（設計）人： | 黃寓洋;殷志珍;馮成義;李文;張耀輝 | 申請（專利權）人： | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | G02F1/017 | 分類號： | G02F1/017;H04B10/04;H04B10/10 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 調制器 | ||
1.一種光調制器，包括量子阱有源層，其特征在于：所述量子阱有源層由InGaN/GaN材料制成。
2.根據權利要求1所述的光調制器，其特征在于：所述光調制器還包括：
設置于所述量子阱有源層下方的第一接觸層、第一布拉格反射器層和襯底；
設置于所述量子阱有源層上方的第二接觸層。
3.根據權利要求2所述的光調制器，其特征在于：所述第一接觸層形成于所述量子阱有源層和第一布拉格反射器層之間。
4.根據權利要求3所述的光調制器，其特征在于：所述光調制器還包括第二布拉格反射器層，所述第二布拉格反射器層位于所述第二接觸層的上方。
5.根據權利要求3所述的光調制器，其特征在于：所述光調制器還包括形成于所述第一布拉格反射器層上的第一電極和形成于所述第二接觸層上的第二電極，所述第一電極為Ni/Au合金，所述第二電極為Ti/Al/Ni/Au合金。
6.根據權利要求2所述的光調制器，其特征在于：所述第一布拉格反射器層位于所述量子阱有源層和第一接觸層之間。
7.根據權利要求6所述的光調制器，其特征在于：所述光調制器還包括第二布拉格反射器層，所述第二布拉格反射器層位于所述第二接觸層和量子阱有源層之間。
8.根據權利要求6所述的光調制器，其特征在于：所述光調制器還包括形成于所述第一接觸層上的第一電極和形成于所述第二接觸層上的第二電極，所述第一電極為Ni/Au合金，所述第二電極為Ti/Al/Ni/Au合金。
9.根據權利要求1所述的光調制器，其特征在于：所述量子阱有源層的工作波長為430~530nm。
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