[發明專利]下層金屬布線的安全精確切割方法

有效

• 申請號: 201210315696.8
• 申請日: 2012-08-30
• 公開（公告）號: CN103681230A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 賴華平;潘永吉
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C23F4/00
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 孫大為

1.一種下層金屬布線的安全精確切割方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、按以下流程用聚焦離子束技術，實現下層金屬線切割：刻蝕時，IEE針進入反應腔，但針的閥門不打開，以離子束在每個像素上的的停留時間1微秒，面積重疊比例50%的條件進行刻蝕，最外刻蝕框大小為10微米×10微米以上，每一次新刻蝕框都要求比上級框尺寸小10%以上，且不包含上級刻蝕框暴露的金屬線，以及距暴露金屬線1微米以上位置，刻蝕終點為下一層金屬線暴露，暴露出待切割金屬線；

步驟二、切割金屬線，刻蝕時間在20秒-50秒，并切斷金屬線；

步驟三、最后用500pA-1000pA間的束流，對全部刻蝕框用增強刻蝕模式進行清理。

2.如權利要求1所述的下層金屬布線的安全精確切割方法，其特征在于，所述步驟一中，刻蝕束流的面密度為25pA/微米²-100pA/微米²,其中面密度=束流÷刻蝕框面積。

3.如權利要求2所述的下層金屬布線的安全精確切割方法，其特征在于，所述步驟二中，從50-300pA的束流中挑選合適束流實現20秒-50秒內切斷金屬線。

4.如權利要求3所述的下層金屬布線的安全精確切割方法，其特征在于，所述步驟三中，采用500pA束流，刻蝕框大小能包含最外框，用選用IEE針進入且閥門開啟的刻蝕模式。

5.如權利要求4所述的下層金屬布線的安全精確切割方法，其特征在于，所述步驟三中所述刻蝕深度0.02微米-0.1微米。

6.如權利要求1所述的下層金屬布線的安全精確切割方法，其特征在于，所述步驟二中切割金屬線，刻蝕時間在30秒，并切斷金屬線；

7.如權利要求1所述的下層金屬布線的安全精確切割方法，其特征在于，所述步驟三中最后用500pA束流，對全部刻蝕框用增強刻蝕模式進行清理。

8.如權利要求1所述的下層金屬布線的安全精確切割方法，其特征在于，所述步驟一中，刻蝕束流的面密度為50pA/微米²。