[發(fā)明專利]硅傳感器壓力芯片及其自停止腐蝕工藝無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210314594.4 | 申請日： | 2012-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN102818662A | 公開（公告）日： | 2012-12-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 朱榮惠;郝曉卿 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫永陽電子科技有限公司 |
| 主分類號： | G01L1/18 | 分類號： | G01L1/18 |
| 代理公司： | 宜興市天宇知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 32208 | 代理人： | 蔡鳳苞 |
| 地址： | 214000 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 傳感器 壓力 芯片 及其 停止 腐蝕 工藝 | ||
1.一種硅傳感器壓力芯片，包括硼硅玻璃基底、P型襯底、氧化層、壓敏電阻、擴散電阻及氮化硅保護膜，所述P型襯底中設(shè)有腐蝕腔，其特征在于：在所述P型襯底上生成有N型外延層，所述氧化層、壓敏電阻、擴散電阻及氮化硅保護膜生成于所述N型外延層上。
2.按照權(quán)利要求1所述的硅傳感器壓力芯片，其特征在于：所述N型外延層表面氧化、光刻、腐蝕后，在刻蝕區(qū)內(nèi)注入磷元素形成覆蓋所述壓敏電阻的N型覆蓋層。
3.按照權(quán)利要求2所述的硅傳感器壓力芯片，其特征在于：所述N型覆蓋層為輕摻雜的N型覆蓋層。
4.一種硅傳感器壓力芯片的自停止腐蝕工藝，其特征在于包括以下步驟：
A、在P型襯底上生長出N型外延層；
B、經(jīng)過高溫氧化后在N型外延層上生長出氧化層，經(jīng)過一系列的低壓化學(xué)氣相沉積、等離子體增強化學(xué)氣相沉積、氧化、光刻、刻蝕、離子注入、擴散、氮化硅刻蝕、接觸氧化刻蝕、金屬沉積、金屬刻蝕、光阻去除工藝在N型外延層上生成擴散電阻、壓敏電阻及氮化硅保護膜；
C、浸入KOH腐蝕液進行P型襯底腐蝕，當(dāng)KOH腐蝕液腐蝕到N型外延層時，腐蝕過程停止在N型外延層上，實現(xiàn)自停止腐蝕，形成腐蝕腔；
D、將制作好的芯片與硼硅玻璃采用陽極鍵合技術(shù)鍵合在一起，最后劃片分割成獨立的芯片，即得到硅傳感器壓力芯片。
5.按照權(quán)利要求4所述的硅傳感器壓力芯片的自停止腐蝕工藝，其特征在于：在上述步驟B制作擴散電阻、壓敏電阻及氮化硅保護膜的過程中，在N型外延層表面氧化、光刻、腐蝕后，在刻蝕區(qū)內(nèi)注入磷元素形成N型覆蓋層。
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