[發(fā)明專利]半導體結構的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210313474.2
• 申請日: 2012-08-29
• 公開（公告）號: CN103632978A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設計）人: 鄧浩
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底表面具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域表面具有第一鰭部，所述第二區(qū)域表面具有第二鰭部，所述第一鰭部頂部具有第一硬掩膜層，所述第二鰭部頂部具有第二硬掩膜層；

在第一鰭部和第二鰭部兩側溝槽內形成絕緣層，所述絕緣層高度低于第一鰭部和第二鰭部的高度；

在絕緣層表面形成側墻，所述側墻分別覆蓋第一硬掩膜層和第一鰭部的側壁以及第二硬掩膜層和第二鰭部的側壁，所述側墻高度與第一硬掩膜層和第二硬掩膜層頂面齊平；

去除第一鰭部頂部的第一硬掩膜層，暴露出第一鰭部的頂面，所述頂面與第一鰭部兩側側墻形成溝槽；

在第一鰭部頂部的溝槽內進行選擇性外延，形成第三鰭部，所述第三鰭部高度與第一鰭部高度不同。

2.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一硬掩膜層和第二硬掩膜層的材料包括SiN、SiON、SiO₂或無定形碳。

3.根據權利要求1所述的形成半導體結構的方法，其特征在于，所述絕緣層的材料包括SiO₂、SiN或SiON。

4.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一鰭部和第二鰭部的形成工藝是反應離子刻蝕。

5.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述絕緣層的方法包括：在溝槽內填充滿絕緣介質；用化學機械研磨的方法使絕緣介質與第一硬掩膜層和第二硬掩膜層齊平；回刻蝕所述絕緣介質，形成高度低于第一鰭部和第二鰭部的絕緣層。

6.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述側墻的材料包括SiON、SiO₂、SiCN或BN。

7.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在去除所述第一鰭部頂部的第一硬掩膜層之前，在第二區(qū)域表面形成覆蓋層。

8.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括，去除第二鰭部頂部的第二硬掩膜層，暴露出第二鰭部的頂面，所述頂面與第二鰭部兩側側墻形成溝槽；在第二鰭部頂部的溝槽內進行選擇性外延形成第四鰭部，所述第四鰭部高度與第二鰭部高度不同。

9.根據權利要求8所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在去除所述第二鰭部頂部的第二硬掩膜層之前，在第一區(qū)域表面形成覆蓋層。

10.根據權利要求7或9所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述覆蓋層的材料是光刻膠。

11.根據權利要求7或9所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在第一鰭部或第二鰭部頂部的溝槽內進行選擇性外延的方法還包括：回刻去除側墻頂部的外延層。

12.根據權利要求7或9所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：去除所述側墻頂部的外延層之后，繼續(xù)刻蝕溝槽內的外延層分別形成第三鰭部和第四鰭部，所述第三鰭部和第四鰭部的高度不同且都不超過兩側側墻的高度。

13.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：形成柵極結構，所述柵極結構位于絕緣層表面并且橫跨所述第三鰭部與第二鰭部；在所述第三鰭部與第二鰭部兩端分別形成源極和漏極，所述源極和漏極位于柵極結構的兩側。

14.根據權利要求12所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：形成柵極結構，所述柵極結構位于絕緣層表面并且橫跨所述第三鰭部與第四鰭部；在所述第三鰭部與第四鰭部兩端分別形成源極和漏極，所述源極和漏極位于柵極結構的兩側。