[發明專利]固體拍攝裝置及拍攝機

有效

• 申請號: 201210313433.3
• 申請日: 2012-08-29
• 公開（公告）號: CN103024295A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 前田基宏
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H04N5/335
• 分類號: H04N5/335;H04N5/369;H01L27/146
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 劉瑞東;陳海紅

相關申請的參考

本申請享受2011年9月22日申請的日本專利申請編號2011-207093的優先權，該日本專利申請的全部內容在本申請中援用。

技術領域

本實施方式一般地說，涉及固體拍攝裝置及拍攝機。

背景技術

CCD圖像傳感器和/或CMOS圖像傳感器等的固體拍攝裝置通過多像素化和/或光學尺寸的縮小，像素尺寸（大小）進一步微細化。

用于控制來自像素的信號的輸出的元件(例如，場效應晶體管)的一部分設置在像素陣列內的像素附近。因此，伴隨像素的微細化，像素陣列內的控制元件也微細化。

這樣的像素及元件的微細化可能導致元件的特性劣化，噪音對來自像素的信號的影響增大。結果，根據來自像素的信號而形成的圖像的畫質可能劣化。

發明內容

本發明解決的課題是提供可改善圖像傳感器的畫質的固體拍攝裝置及拍攝機。

實施方式的固體拍攝裝置，其特征在于，具備：設置在半導體基板的像素陣列內的單位單元形成區域；像素，設置在上述單位單元形成區域內，生成基于來自被攝體的光信號的信號電荷；以及晶體管放大器，設置在上述單位單元形成區域內，放大與從上述像素向浮置擴散層傳送的上述信號電荷對應的電位，上述晶體管放大器的柵極電極包含隔著第1柵極絕緣膜埋入上述半導體基板的一個以上的第1溝的一個以上的第1埋入部。

另外，其他實施方式的拍攝機，具備：上述實施方式所述的上述固體拍攝裝置；以及信號處理電路，其處理上述固體拍攝裝置取得的與來自被攝體的光對應的信號，形成圖像數據。

而且，其他實施方式的固體拍攝裝置，其特征在于，具備：設置在半導體基板內的單位單元形成區域；像素，設置在上述單位單元形成區域內，生成基于來自被攝體的光信號的信號電荷；傳送上述信號電荷的浮置擴散層；以及多個晶體管，其設置在上述單位單元形成區域內，用于控制上述像素的工作；其中，至少一個上述晶體管包含具有隔著柵極絕緣膜埋入上述半導體基板的溝內的一個以上的埋入部的柵極電極。

根據上述構成的固體拍攝裝置及拍攝機，可以改善圖像傳感器的畫質。

附圖說明

圖1是實施方式的固體拍攝裝置的芯片布局（layout）的一例示圖。

圖2是實施方式的固體拍攝裝置的像素陣列的構造的一例截面圖。

圖3是實施方式的固體拍攝裝置的像素陣列的電路構成的一例示圖。

圖4是實施方式的固體拍攝裝置的像素陣列的構造的一例俯視圖。

圖5是實施方式的固體拍攝裝置的單位單元內的元件的構造的鳥瞰圖。

圖6A是實施方式的固體拍攝裝置的單位單元內的元件的構造的截面圖。

圖6B是實施方式的固體拍攝裝置的單位單元內的元件的構造的截面圖。

圖7A是實施方式的固體拍攝裝置的單位單元內的元件的構造的截面圖。

圖7B是實施方式的固體拍攝裝置的單位單元內的元件的構造的截面圖。

圖8是實施方式的固體拍攝裝置中的光電變換元件的電荷傳送的說明圖。

圖9A是實施方式的固體拍攝裝置的制造方法的一工序的截面工序圖。

圖9B是實施方式的固體拍攝裝置的制造方法的一工序的截面工序圖。

圖10A是實施方式的固體拍攝裝置的制造方法的一工序的截面工序圖。

圖10B是實施方式的固體拍攝裝置的制造方法的一工序的截面工序圖。

圖11A是實施方式的固體拍攝裝置的變形例的示圖。

圖11B是實施方式的固體拍攝裝置的變形例的示圖。

圖12是實施方式的固體拍攝裝置的變形例的示圖。

圖13是實施方式的固體拍攝裝置的變形例的示圖。

圖14A是實施方式的固體拍攝裝置的變形例的示圖。

圖14B是實施方式的固體拍攝裝置的變形例的示圖。

圖15是實施方式的固體拍攝裝置的變形例的示圖。

圖16是實施方式的固體拍攝裝置的適用例的示圖。

具體實施方式

以下，參照附圖，詳細說明本實施方式。以下的說明中，具有同一功能及構成的要素附上同一符號，重復的說明根據需要進行。

(1)第1實施方式

參照圖1至圖10B，說明第1實施方式的固體拍攝裝置。

(a)構成（結構）

用圖1至圖8，說明第1實施方式的固體拍攝裝置的構成。