[發明專利]固體拍攝裝置及拍攝機

有效

• 申請號: 201210313433.3
• 申請日: 2012-08-29
• 公開（公告）號: CN103024295A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 前田基宏
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H04N5/335
• 分類號: H04N5/335;H04N5/369;H01L27/146
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 劉瑞東;陳海紅

1.一種固體拍攝裝置，其特征在于，具備：

單位單元形成區域，其設置在半導體基板的像素陣列內；

像素，其設置在上述單位單元形成區域內，生成基于來自被攝體的光信號的信號電荷；以及

晶體管放大器，其設置在上述單位單元形成區域內，放大與從上述像素向浮置擴散層傳送的上述信號電荷對應的電位；

上述晶體管放大器的柵極電極包含隔著第1柵極絕緣膜埋入上述半導體基板的一個以上的第1溝的一個以上的第1埋入部。

2.根據權利要求1所述的固體拍攝裝置，其特征在于，

在上述晶體管放大器的溝道寬度方向上，上述第1埋入部的側面與半導體區域相對向。

3.根據權利要求1所述的固體拍攝裝置，其特征在于，

上述晶體管放大器的溝道寬度方向上的上述第1溝的尺寸，比上述晶體管放大器的柵極寬度小。

4.根據權利要求1所述的固體拍攝裝置，其特征在于，

上述晶體管放大器的溝道長度方向上的上述第1埋入部的尺寸，在晶體管的溝道長度方向上的上述柵極電極的尺寸以下。

5.根據權利要求1所述的固體拍攝裝置，其特征在于，

上述晶體管放大器的溝道寬度，比上述晶體管放大器的溝道寬度方向上的設置上述晶體管放大器的有源區域的尺寸大，

上述晶體管放大器的溝道長度，比上述晶體管放大器的溝道長度方向上的上述晶體管放大器的源極及漏極間的尺寸大。

6.根據權利要求1所述的固體拍攝裝置，其特征在于，

在相對于上述半導體基板的表面的垂直方向上，上述第1埋入部的底部的位置，與包圍上述單位單元形成區域的元件分離層的底部相比，更靠上述半導體基板的底部側配置。

7.根據權利要求1所述的固體拍攝裝置，其特征在于，

上述晶體管放大器的上述柵極電極包含一個上述第1埋入部，上述晶體管放大器的溝道寬度方向上的上述第1埋入部的側面的全體不與包圍上述單位單元形成區域的元件分離層接觸。

8.根據權利要求1所述的固體拍攝裝置，其特征在于，

上述晶體管放大器的上述柵極電極具有2個上述第1埋入部，

一個上述第1埋入部設置在上述晶體管放大器的溝道寬度方向上的上述柵極電極的一端，另一個上述第1埋入部設置在上述晶體管放大器的溝道寬度方向上的上述柵極電極的另一端。

9.根據權利要求1所述的固體拍攝裝置，其特征在于，還具備：

傳輸門，其設置在上述單位單元形成區域內的上述像素和上述浮置擴散層之間，控制上述信號電荷對上述浮置擴散層的傳送。

10.根據權利要求9所述的固體拍攝裝置，其特征在于，

上述傳輸門的柵極電極包含隔著第2柵極絕緣膜分別埋入上述半導體基板的一個以上的第2溝內的一個以上的第2埋入部。

11.根據權利要求10所述的固體拍攝裝置，其特征在于，

在相對于上述半導體基板的表面的垂直方向上，上述第2埋入部的底部的位置配置在形成上述像素的雜質層的雜質濃度的中心的附近。

12.根據權利要求10所述的固體拍攝裝置，其特征在于，

在相對于上述半導體基板的表面的垂直方向上，上述浮置擴散層側的上述第2埋入部的底部的位置設置在上述像素側的上述第2埋入部的底部的位置和上述半導體基板的表面之間的位置。

13.根據權利要求12所述的固體拍攝裝置，其特征在于，

上述第2埋入部在傳輸門的溝道長度方向上具有三角形狀的截面形狀，上述第2埋入部中的上述像素側的端部與上述像素的表面相比位于半導體基板的底部側，上述第2埋入部中的上述浮置擴散層側的端部與上述傳輸門的上述柵極電極設置側的上述浮置擴散層的面位于相同高度。

14.根據權利要求10所述的固體拍攝裝置，其特征在于，

上述傳輸門的溝道寬度方向上的上述第2埋入部的尺寸與上述傳輸門的溝道寬度方向上的設置上述傳輸門的有源區域的尺寸相同。