[發(fā)明專利]存儲裝置、半導(dǎo)體裝置及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210313377.3
• 申請日: 2012-08-29
• 公開（公告）號: CN103094220A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 種泰雄;井本孝志;川戶雅敏;宮下浩一;安藤善康;谷本亮
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L25/065
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 陳海紅;段承恩

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)施方式涉及存儲裝置、半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

已知將多個(gè)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行疊層而制造的半導(dǎo)體裝置。在如此的半導(dǎo)體裝置中，已知將各半導(dǎo)體芯片通過設(shè)置于半導(dǎo)體芯片端部的接合線與基板進(jìn)行連接的方法。

近年，提出以下構(gòu)成：在設(shè)置于下層的半導(dǎo)體芯片（以下，下層芯片）上，將比下層芯片大的半導(dǎo)體芯片（以下，上層芯片）進(jìn)行疊層。在如此的構(gòu)成中，用于防止下層芯片端的接合線接觸到上層芯片，使對上層芯片及下層芯片進(jìn)行連接的粘接層的厚度比從下層芯片表面突出的接合線的高度厚。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施方式的目的在于提供制造成本低廉的存儲裝置、半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法特征為：所述半導(dǎo)體裝置具有搭載于基板上、通過接合線與基板連接的第1芯片和疊層于第1芯片上地搭載于基板上、比前述第1芯片大的第2芯片；在第2芯片的與第1芯片的粘接面的與形成有接合線的部分相對應(yīng)的部分涂敷絕緣層，在第2芯片的粘接面形成粘接層，并使基板與第2芯片相貼合。

附圖說明

圖1是表示第1實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成例的俯視圖。

圖2是該半導(dǎo)體裝置的側(cè)視圖。

圖3是表示該實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的流程圖。

圖4是用于對該制造方法的第1工序進(jìn)行說明的概略圖。

圖5是用于對該制造方法的第1加熱處理進(jìn)行說明的概略圖。

圖6是用于對該制造方法的第2工序進(jìn)行說明的概略圖。

圖7是用于對該制造方法的第3工序進(jìn)行說明的概略圖。

圖8是用于進(jìn)行通過該制造方法的第3工序制造的結(jié)構(gòu)的說明的概略圖。

符號說明

1…基板，2…接合線，3…第1芯片，4…粘接層，5…疊層體，6…絕緣層，7…夾頭，51…第2芯片，52…芯片，53…疊層體層的接合線。

具體實(shí)施方式

第1實(shí)施方式

整體構(gòu)成

圖1是第1實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成例的俯視圖，圖2是該半導(dǎo)體裝置的側(cè)視圖。本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置具有基板1、通過接合線2與基板1連接的第1芯片3、覆蓋第1芯片3整體的粘接層4和介由粘接層4與基板1連接的疊層體5。疊層體5具有介由粘接層4粘接于基板1及第1芯片3的第2芯片51和疊層于第2芯片51表面的多個(gè)芯片52。第2芯片51及多個(gè)芯片52通過疊層體用的接合線53連接于基板1。并且，在第2芯片51的與第1芯片3的粘接面之中的與設(shè)置于第1芯片3的接合線2對置的部分形成絕緣層6。能夠在第2芯片51采用例如半導(dǎo)體存儲器、在第1芯片3采用用于對第2芯片51進(jìn)行控制的存儲器控制器。因?yàn)槿羰拱雽?dǎo)體存儲器的面積比存儲器控制器的面積大，則能夠使存儲容量增大，所以適合于采用了本實(shí)施方式的存儲裝置。

制造方法

接下來，關(guān)于本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。圖3是表示本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的流程圖。

在本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，如示于圖4地，首先在成為第2芯片51的硅晶片51A的粘接面以例如5～10μm的厚度涂敷成為絕緣層6的絕緣樹脂6A（步驟S1）。雖然在本實(shí)施方式中，作為絕緣樹脂6A使用熱固化性的環(huán)氧類的絕緣樹脂，但是也可以使用通過熱以外的方法進(jìn)行固化的絕緣體。絕緣樹脂6A涂敷為，在之后從硅晶片51A切出成為多個(gè)第2芯片51的每個(gè)部分，描畫多個(gè)相同圖形。作為圖形例如可以應(yīng)用覆蓋第1芯片3的周圍的2～3mm寬度的圖形等。在絕緣樹脂6A的涂敷中，例如可以采用噴墨法等的方法。

接下來，如示于圖5地，在涂敷有絕緣樹脂6A的硅晶片51A例如進(jìn)行90℃、1小時(shí)程度的第1加熱處理，使絕緣樹脂6A的粘度升高而成為絕緣樹脂6B（步驟）。接下來，如示于圖6地，在硅晶片51A的粘接面貼付片狀的粘接劑4A（步驟S3），將硅晶片51A切分為多個(gè)第2芯片51（步驟S4）。作為粘接劑4A可以應(yīng)用熱塑性的粘接劑，也可以采用丙烯酸類、聚酰亞胺類的粘接劑等。

接下來，對于第2芯片51進(jìn)行第2加熱處理（步驟S5）。通過第2加熱處理粘接劑4A的粘度下降，成為粘接劑4B。第2加熱處理例如使第2芯片51幾秒間載置于預(yù)先加熱的未圖示的平板，利用預(yù)先加熱的后述的夾頭7使第2芯片51移動，通過利用從預(yù)先加熱的基板1傳遞的熱而進(jìn)行。由此能夠?qū)φ辰觿?A進(jìn)行加熱。