[發明專利]光學鄰近修正方法

有效

• 申請號: 201210312992.2
• 申請日: 2012-08-29
• 公開（公告）號: CN103631084A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 王輝
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36;G03F7/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

技術領域

本發明涉及半導體制造工藝，特別涉及一種光學鄰近修正方法。

背景技術

在光刻工藝中，當輻射光源發出的光線穿過掩模板時，受到待曝光圖形(如鉻圖形)邊緣的影響而發生折射和散射，隨著器件特征尺寸(CD，Critical?Dimension)的不斷減小，使得照射至光刻膠層上的圖形發生明顯的變形和失真，即光學鄰近效應(OPE，Optical?Proximity?Effect)。

為了克服光學鄰近效應，業界采用了諸多分辨率增強技術(RET，Resolution?Enhancement?Technology),包括光學鄰近修正(OPC,Optical?Proximity?Correction)、相移掩模板(PSM，Phase?Shifting?Mask)和偏軸照明(OAI，OffAxis?Illumination)等。

光學鄰近修正是目前解決光學鄰近效應的最常用的方法，在公告號為CN101311825B的中國專利中公開了一種光學鄰近修正方法，所述方法包括：制造具有測試圖形的掩模板；使用所述掩模板進行曝光，在晶圓上形成晶圓圖案；測量所述晶圓圖案的線寬；通過測量的所述圖案的線寬和所述測試圖形的線寬進行模型校正，基于所述模型校正的結果制造修正后掩模板。

但是隨著半導體技術的發展，光刻中掩模版上圖形的線寬越來越小、復雜度越來越高。尤其是對二維的掩模圖形來說，現有的光學臨近修正方法得到的掩模圖形仍無法獲得符合設計規格的光刻膠圖形。

如何提高光學鄰近修正方法的精度是本領域技術人員亟待解決的技術問題之一。

發明內容

本發明解決的問題是提供一種光學鄰近修正方法，提高光學鄰近修正的精度。

為了解決上述問題，本發明提供一種光學鄰近修正方法，包括：提供測試掩模板，所述測試掩模板上形成有至少一個第一測試圖形；以所述測試掩模板進行曝光，形成與所述第一測試圖形相對應的曝光圖形；基于曝光圖形對第一測試圖形進行調整以形成第二測試圖形，使所述第二測試圖形相對于第一測試圖形與曝光圖形更相近；基于所述第二測試圖形與所述曝光圖形進行修正。

與現有技術相比，本發明根據曝光圖形對第一測試圖形進行調整，調制后形成的第二測試圖形與第一測試圖形相比與曝光圖形更加相近，基于所述第二測試圖形與所述曝光圖形進行光學鄰近修正，可以獲得較高的精度。

附圖說明

圖1是本發明實施例的光學鄰近修正方法的流程示意圖；

圖2是本發明光學鄰近修正方法第一測試圖形的示意圖；

圖3是本發明光學鄰近修正方法第二測試圖形第一實施例的示意圖；

圖4是本發明光學鄰近修正方法第二測試圖形第二實施例的示意圖。

具體實施方式

為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施方式做詳細的說明。

在以下描述中闡述了具體細節以便于充分理解本發明。但是本發明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類似推廣。因此本發明不受下面公開的具體實施的限制。

現有技術的光學鄰近修正方法是對整個曝光圖形的幾個特定的點進行校驗和修正，光學臨近修正的精度較低。

本發明提供的光學鄰近方法。

圖1為本發明實施例的光學鄰近修正方法一實施方式的流程示意圖。如圖1所示，包括：

步驟S1，提供測試掩模板，所述測試掩模板上形成有至少一個第一測試圖形；

步驟S2，以所述測試掩模板進行曝光，形成與所述第一測試圖形相對應的曝光圖形；

步驟S3，基于曝光圖形對第一測試圖形進行調整以形成第二測試圖形，使所述第二測試圖形相對于第一測試圖形與曝光圖形更相近；

步驟S4，基于所述第二測試圖形與所述曝光圖形進行修正。

下面結合附圖和具體實施例對本發明光學鄰近修正方法進行詳細說明。

參考圖2，執行步驟S1，提供測試掩模板(圖未示)，所述測試掩模板上形成有至少一個第一測試圖形100；具體地，所述第一測試圖形100可以通過電子束對測試掩模版基板上的鉻材料進行圖形化而形成。

本實施例中，第一測試圖形100為二維圖形，具體地，二維的第一測試圖形100包括沿X方向的水平部分102和沿Y方向的豎直部分103，所述水平部分102和豎直部分103相連，相連的所述水平部分102和豎直部分103會形成“L”形拐角。