[發(fā)明專(zhuān)利]光學(xué)鄰近修正方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210312992.2 | 申請(qǐng)日: | 2012-08-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103631084A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-03-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王輝 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G03F1/36 | 分類(lèi)號(hào): | G03F1/36;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 201203 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學(xué) 鄰近 修正 方法 | ||
1.一種光學(xué)鄰近修正方法,其特征在于,包括:
提供測(cè)試掩模板,所述測(cè)試掩模板上形成有至少一個(gè)第一測(cè)試圖形;
以所述測(cè)試掩模板進(jìn)行曝光,形成與所述第一測(cè)試圖形相對(duì)應(yīng)的曝光圖形;
基于所述曝光圖形對(duì)第一測(cè)試圖形進(jìn)行調(diào)整以形成第二測(cè)試圖形,使所述第二測(cè)試圖形相對(duì)于第一測(cè)試圖形與曝光圖形更相近;
基于所述第二測(cè)試圖形與所述曝光圖形進(jìn)行修正。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)鄰近修正方法,其特征在于,所述第一測(cè)試圖形為二維圖形。
3.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)鄰近修正方法,其特征在于,所述第一測(cè)試圖形包括直角,所述基于曝光圖形對(duì)第一測(cè)試圖形進(jìn)行調(diào)整形成第二測(cè)試圖形的步驟包括:將所述第一測(cè)試圖形中的直角調(diào)整為圓角。
4.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)鄰近修正方法,其特征在于,所述第一測(cè)試圖形包括直角,所述基于曝光圖形對(duì)第一測(cè)試圖形進(jìn)行調(diào)整形成第二測(cè)試圖形的步驟包括:將所述第一測(cè)試圖形中的直角對(duì)應(yīng)的直角三角形區(qū)域去除。
5.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)鄰近修正方法,其特征在于,所述基于所述第二測(cè)試圖形與所述曝光圖形進(jìn)行修正的步驟包括:
測(cè)量曝光圖形不同測(cè)試位置處的線寬;
依次比較不同測(cè)試位置處測(cè)量的線寬與對(duì)應(yīng)位置處第二測(cè)試圖形對(duì)應(yīng)寬度,獲得曝光圖形與所述第二測(cè)試圖形的相似度;
如果相似度大于或等于相似度閾值,則第二測(cè)試圖形符合設(shè)計(jì)規(guī)格,如果相似度小于相似度閾值,對(duì)第二測(cè)試圖形進(jìn)行修正。
6.如權(quán)利要求5所述的光學(xué)鄰近修正方法,其特征在于,所述相似度閾值位于70%~95%的范圍內(nèi)。
7.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)鄰近修正方法,其特征在于,所述基于所述第二測(cè)試圖形與所述曝光圖形進(jìn)行修正的步驟包括:
提取曝光圖形的圖形輪廓,對(duì)圖形輪廓進(jìn)行多點(diǎn)采樣;
依次判斷每一采樣點(diǎn)與所述第二測(cè)試圖形對(duì)應(yīng)點(diǎn)相比是否通過(guò)校驗(yàn);
在對(duì)所有采樣點(diǎn)完成校驗(yàn)之后,判斷符合校驗(yàn)的采樣點(diǎn)的數(shù)量與預(yù)設(shè)閾值的大小,如果符合校驗(yàn)的采樣點(diǎn)的數(shù)量大于或等于預(yù)設(shè)閾值,則第二測(cè)試圖形符合設(shè)計(jì)規(guī)格,如果符合校驗(yàn)的采樣點(diǎn)的數(shù)量小于預(yù)設(shè)閾值,對(duì)第二測(cè)試圖形進(jìn)行修正。
8.如權(quán)利要求7所述的光學(xué)鄰近修正方法,其特征在于,所述提取曝光圖形的圖形輪廓的步驟包括:通過(guò)電子顯微鏡對(duì)曝光圖形進(jìn)行掃描,形成曝光圖形形貌圖,基于圖形輪廓與曝光圖形形貌圖中其他位置的灰度的不同,對(duì)所述曝光圖形形貌圖進(jìn)行圖形輪廓的提取。
9.如權(quán)利要求7所述的光學(xué)鄰近修正方法,其特征在于,所述預(yù)設(shè)閾值根據(jù)采樣點(diǎn)的數(shù)量和校驗(yàn)合格率閾值的乘積獲得。
10.如權(quán)利要求9所述的光學(xué)鄰近修正方法,其特征在于,所述校驗(yàn)合格率閾值位于70%~95%的范圍內(nèi)。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專(zhuān)用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專(zhuān)門(mén)適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過(guò)電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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