[發明專利]一種晶體硅太陽能電池鈍化膜的制備方法

無效

• 申請號: 201210312734.4
• 申請日: 2012-08-29
• 公開（公告）號: CN103633185A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 湯丹;王立建
• 申請（專利權）人: 浙江昱輝陽光能源江蘇有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

技術領域：

本發明涉及太陽電池制造技術領域，尤其涉及一種晶體硅太陽能電池鈍化膜的制備方法。

背景技術：

晶體硅太陽能電池可以將光能轉換為電能，是現代節能社會發展的一個重點。

多晶硅太陽電池制造過程中，通常要在硅片表面形成減反射膜，減反射膜的材料一般為氮化硅，用于降低多晶硅太陽電池表面對光線的反射，從而改善其光電轉化效率。通常，現有技術中減反射膜的制備方法為：通過向PECVD（Plasma?Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition，等離子體增強化學汽相沉積）設備的淀積腔內通入氨氣和硅烷，形成一層氮化硅薄膜。在形成減反射膜的同時，還會引入氫離子，對硅片表面起到鈍化作用。

但是，現有的減反射膜對硅片表面的鈍化效果并不理想，在硅片表面仍存在較多的雜質、位錯和晶界等缺陷，使得多晶硅太陽電池輸出功率較低。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明申請的目的在于提供一種晶體硅太陽能電池鈍化膜的制備方法，以對硅片表面起到更好的鈍化效果，減少硅片表面的雜質、位錯和晶界等缺陷，提高多晶硅太陽電池的輸出功率。

為實現上述目的，本發明提供了如下技術方案：

一種晶體硅太陽能電池鈍化膜的制備方法，包括：

對硅片進行預處理；

在所述硅片表面形成a-Si:H薄膜；

在所述a-Si:H薄膜表面形成SiNx:H薄膜；

燒結。

優選的，所述預處理過程，包括：

將所述硅片置于頻率為1.0GHz~1.25GHz的微波場中，持續時間為4min~10min。

優選的，所述形成a-Si:H薄膜的過程，包括：

向反應腔中通入SiH4，流量為50sccm~90sccm，在180℃~250℃的溫度范圍內，通過等離子化學氣象沉積過程在所述硅片表面形成a-Si:H薄膜。

優選的，所述a-Si:H薄膜的厚度為8nm~20nm。

優選的，所述形成SiNx:H薄膜的過程，包括：

向反應腔中通入SiH4和NH3，所述SiH4的流量為200sccm~360sccm，所述NH3的流量為640sccm~1150sccm，在180℃~250℃的溫度范圍內，通過等離子化學氣象沉積過程在所述a-Si:H薄膜表面形成SiNx:H薄膜。

優選的，所述SiNx:H薄膜的厚度為60nm~80nm。

優選的，所述燒結過程，包括：

將所述硅片置于300℃~800℃的溫度范圍內，持續時間為2min~6min。

優選的，所述對硅片進行預處理之前包括：

對所述硅片進行制絨、擴散制結、刻邊和去磷硅玻璃的過程。

一種晶體硅太陽能電池鈍化膜，包括：

硅片；

a-Si:H薄膜，所述a-Si:H薄膜位于所述硅片表面上；

SiNx:H薄膜，所述SiNx:H薄膜位于所述a-Si:H薄膜表面上。

優選的，所述a-Si:H薄膜的厚度為8nm~20nm，所述SiNx:H薄膜的厚度為60nm~80nm。

本發明所提供的技術方案中，通過在硅片表面形成a-Si:H薄膜，然后在所述a-Si:H薄膜表面形成SiNx:H薄膜。即，首先以H為主在硅片表面形成一膜層，對硅片表面起到一定的鈍化作用，然后形成SiNx:H薄膜，而且SiNx:H薄膜中的H可以對硅片表面起到二次鈍化的作用，使得硅片表面的鈍化更充分，盡可能的減少硅片表面的雜質、位錯和晶界等缺陷，與現有的減反射膜相比，本申請所提供的方法可以有效的減少硅片表面的雜質、位錯和晶界等缺陷的存在，提高多晶硅太陽電池的輸出功率。

此外，所述a-Si:H薄膜和SiNx:H薄膜能夠起到減反射的作用，改善其光電轉化效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例提供的一種晶體硅太陽能電池鈍化膜的結構示意圖。

具體實施方式