[發明專利]一種晶體硅太陽能電池鈍化膜的制備方法

無效

• 申請號: 201210312734.4
• 申請日: 2012-08-29
• 公開（公告）號: CN103633185A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 湯丹;王立建
• 申請（專利權）人: 浙江昱輝陽光能源江蘇有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種晶體硅太陽能電池鈍化膜的制備方法，其特征在于，包括：

對硅片進行預處理；

在所述硅片表面形成a-Si:H薄膜；

在所述a-Si:H薄膜表面形成SiNx:H薄膜；

燒結。

2.根據權利要求1所述方法，其特征在于，所述預處理過程，包括：

將所述硅片置于頻率為1.0GHz~1.25GHz的微波場中，持續時間為4min～10min。

3.根據權利要求1所述方法，其特征在于，所述形成a-Si:H薄膜的過程，包括：

向反應腔中通入SiH4，流量為50sccm~90sccm，在180℃~250℃的溫度范圍內，通過等離子化學氣象沉積過程在所述硅片表面形成a-Si:H薄膜。

4.根據權利要求3所述方法，其特征在于，所述a-Si:H薄膜的厚度為8nm~20nm。

5.根據權利要求1所述方法，其特征在于，所述形成SiNx:H薄膜的過程，包括：

向反應腔中通入SiH4和NH3，所述SiH4的流量為200sccm~360sccm，所述NH3的流量為640sccm~1150sccm，在180℃~250℃的溫度范圍內，通過等離子化學氣象沉積過程在所述a-Si:H薄膜表面形成SiNx:H薄膜。

6.根據權利要求5所述方法，其特征在于，所述SiNx:H薄膜的厚度為60nm~80nm。

7.根據權利要求1所述方法，其特征在于，所述燒結過程，包括：

將所述硅片置于300℃~800℃的溫度范圍內，持續時間為2min~6min。

8.根據權利要求1所述方法，其特征在于，所述對硅片進行預處理之前包括：

對所述硅片進行制絨、擴散制結、刻邊和去磷硅玻璃的過程。

9.一種晶體硅太陽能電池鈍化膜，其特征在于，包括：

硅片；

a-Si:H薄膜，所述a-Si:H薄膜位于所述硅片表面上；?

SiNx:H薄膜，所述SiNx:H薄膜位于所述a-Si:H薄膜表面上。

10.根據權利要求9所述晶體硅太陽能電池鈍化膜，其特征在于，所述a-Si:H薄膜的厚度為8nm~20nm，所述SiNx:H薄膜的厚度為60nm~80nm。?