[發明專利]基于智能變電站二次設備場景測試的控制器無效
| 申請號: | 201210312383.7 | 申請日: | 2012-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN102854856A | 公開(公告)日: | 2013-01-02 |
| 發明(設計)人: | 向前;梁志琴;周文聞 | 申請(專利權)人: | 北京博電新力電氣股份有限公司 |
| 主分類號: | G05B19/418 | 分類號: | G05B19/418;G01R31/00 |
| 代理公司: | 天津盛理知識產權代理有限公司 12209 | 代理人: | 王利文 |
| 地址: | 100098 北京市海淀*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 智能 變電站 二次 設備 場景 測試 控制器 | ||
1.一種基于智能變電站二次設備場景測試的控制器,其特征在于:包括ARM模塊、DSP模塊和FPGA模塊,ARM模塊與DSP模塊相連接實現數據傳輸及配置數據功能,DSP模塊與FPGA模塊將DSP模塊生成的仿真數據輸出給FPGA模塊,所述的ARM模塊設置兩個電以太網接口與上位機及保護裝置相連接,FPGA模塊設有光以太網接口與GOOSE、IEC61588、IRIG-B、智能電子裝置相連接,FPGA模塊設有光串口與合并器相連接,FPGA模塊設有開入量接口及開出量接口與保護裝置相連接。
2.根據權利要求1所述的基于智能變電站二次設備場景測試的控制器,其特征在于:所述的ARM模塊通過HPI總線與DSP模塊相連接,所述的DSP模塊與FPGA模塊通過并行總線相連接。
3.根據權利要求1所述的基于智能變電站二次設備場景測試的控制器,其特征在于:所述的ARM模塊包括ARM芯片、以太網PHY芯片、兩個以太網變壓器、RTC和ARM模塊存儲器,ARM芯片與RTC芯片相連接由其提供時鐘信號,ARM模塊通過以太網PHY芯片與兩個以太網變壓器相連接。
4.根據權利要求3所述的基于智能變電站二次設備場景測試的控制器,其特征在于:所述的ARM芯片還連接有JTAG接口用于調試程序,ARM芯片還連接UART接口用于升級程序。
5.根據權利要求3所述的基于智能變電站二次設備場景測試的控制器,其特征在于:所述的ARM芯片還連接有I2C接口用于采集保護裝置的溫度數據以進行補償計算。
6.根據權利要求3所述的基于智能變電站二次設備場景測試的控制器,其特征在于:所述的ARM模塊存儲器包括FLASH芯片和SDRAM芯片。
7.根據權利要求1所述的基于智能變電站二次設備場景測試的控制器,其特征在于:所述的DSP模塊包括DSP芯片及與其相連接的DSP緩沖區和DSP模塊存儲器。
8.根據權利要求7所述的基于智能變電站二次設備場景測試的控制器,其特征在于:DSP模塊存儲器包括FLASH和SRAM。
9.根據權利要求1所述的基于智能變電站二次設備場景測試的控制器,其特征在于:所述的FPGA模塊包括FPGA芯片、FPGA總線緩沖區、以太網控制芯片和光纖傳輸器,FPGA芯片通過FPGA總線緩沖區設置開入量接口、開出量接口和光串口,FPGA芯片通過以太網控制芯片與光纖傳輸器相連接,該光纖傳輸器設置光以太網接口。
10.根據權利要求9所述的基于智能變電站二次設備場景測試的控制器,其特征在于:所述的開入量接口為8對,所述的開出量接口為4對,所述的光串口為8個,所述的光以太網接口為8個。
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