[發明專利]一種制備直流氧化鋅壓敏電阻片高溫加壓法無效
| 申請號: | 201210311466.4 | 申請日: | 2012-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN102786301A | 公開(公告)日: | 2012-11-21 |
| 發明(設計)人: | 鐘慶東;花銀群;楊國平 | 申請(專利權)人: | 江蘇金雷凱光電科技有限責任公司 |
| 主分類號: | C04B35/453 | 分類號: | C04B35/453;C04B35/622;C04B35/645 |
| 代理公司: | 南京知識律師事務所 32207 | 代理人: | 汪旭東 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制備 直流 氧化鋅 壓敏電阻 高溫 加壓 | ||
技術領域
本發明涉及一種高溫加壓法制備直流氧化鋅壓敏電阻片,屬于壓敏陶瓷電阻片制備技術領域。
背景技術
氧化鋅壓敏陶瓷電阻片具有非常優異的電壓-電流非線性,是避雷器的主要組成部件,廣泛的應用在電力輸送系統和電子線路中,限制電路系統的過電壓,從而對設備起到良好的保護作用。隨著經濟的發展,不同復雜的使用環境,對電阻片提出了更高的要求,
壓敏電阻片在使用過程中由于長期承受電壓負荷會發生老化現象,壓敏電壓降低,漏電流增加,甚至可能引起本體內部溫度升高直至發生熱崩潰而爆損,從而大大縮短其使用壽命。電阻片的生產工藝技術對電阻片的使用性能起著至關重要的影響,研究開發新型有效的工藝技術,提高電阻片的致密度與熱穩定性,改進提高電阻片的綜合電學性能,十分必要。
在電阻片的原料配方中,一般包含主料氧化鋅,以及添加劑氧化鉍、氧化鈷、氧化錳、氧化硼等,組分中氧化鉍等原料熔點較低,在高溫下具有很強的揮發性,過程中反應激烈,容易飛濺,從而造成配方組成的改變,且污染環境,該問題一直難以徹底予以改善。
發明內容
1、??????所要解決的技術問題:
壓敏電阻片在使用過程中由于長期承受電壓負荷會發生老化現象,壓敏電壓降低,漏電流增加,甚至可能引起本體內部溫度升高直至發生熱崩潰而爆損,從而大大縮短其使用壽命。
在電阻片的原料配方中,一般包含主料氧化鋅,以及添加劑氧化鉍、氧化鈷、氧化錳、氧化硼等,組分中氧化鉍等原料熔點較低,在高溫下具有很強的揮發性,過程中反應激烈,容易飛濺,從而造成配方組成的改變,且污染環境。
2、??????技術方案:?
本發明采用高溫加壓的方法,在氧化性氣氛條件下制備直流氧化鋅壓敏電阻片,利用高壓環境抑制低熔點組分的揮發,高溫條件下保溫燒結,提高壓敏陶瓷的整體致密度,冷卻后可獲得壓敏陶瓷棒材,然后任意截取,從而制得所需厚度的電阻片。
具體工藝流程為,一種制備直流氧化鋅壓敏電阻片高溫加壓法,其特征在于,工藝流程為,
第一步,準備好原料,?ZnO:84-96%,:1.0?-5.4%,Cr2O3:0.1-1.3%,:0.1-1.7%,WO3:0.05-0.8?%,SiO2:0.2-0.7%,Fe2O3:0.5-0.9%,MnO2:0.1-1.1%,B2O3:0.5-1.3%,百分比為摩爾百分比;
第二步,?按第一步配方的摩爾百分比稱取后,使用氧化鋯球、聚乙烯罐、無水乙醇,在變頻行星式球磨機中濕磨10-12h,轉速設定為450rpm,氧化鋯球:無水乙醇:粉體質量比為15:3:1,粉磨后的漿料放置在90℃烘箱中烘干15h;
第三步,?將第二步制取的干粉,使用氧化鋯球、聚乙烯罐,在變頻行星式球磨機中干磨4-5h,轉速設定為450rpm,氧化鋯球:粉體質量比為15:1;
第四步,?將第三步制取的粉末,加入1-2%的PVA,充分混合后,填裝入口徑一定的直筒形剛玉管中,剛玉管為一邊帶底式;
第五步,?將第四步的填充好原料的剛玉管,以3℃/分鐘-8℃/分鐘的升溫速度加熱至650-750℃,空氣氣氛保溫60-120分鐘,隨爐冷卻;
第六步,將第五步加熱完畢的剛玉管放置于密封加熱爐內,將爐體內抽真空至5-15Pa,然后充入純氧氣,壓力為3-4MPa,以3℃/分鐘-15℃/分鐘的升溫速度升溫加熱,使溫度達到1250-1400℃,保溫30-180分鐘,隨爐冷卻;
第七步,將外層剛玉管去除,而獲得氧化鋅壓敏陶瓷棒材,截取所需厚度的片狀,然后被銀電極,側面涂布高阻層,從而制得所需的氧化鋅電阻片。
3、??????有益效果:
本發明通過高溫加壓的方法制得了氧化鋅壓敏陶瓷棒材,然后截取所需厚度的電阻片。在高溫加壓的過程中,高氣壓抑制了等熔點低的成分的揮發,從而避免了設計配方的改變和整體組分分布不均的情況發生,保證了很高的電阻片質量。
具體實施方式
?下面以具體的實施例來進行詳細說明。
實施例1
第一步:按摩爾百分比,配方由以下各原料組成:
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