[發明專利]一種制備直流氧化鋅壓敏電阻片高溫加壓法

無效

• 申請號: 201210311466.4
• 申請日: 2012-08-29
• 公開（公告）號: CN102786301A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發明（設計）人: 鐘慶東;花銀群;楊國平
• 申請（專利權）人: 江蘇金雷凱光電科技有限責任公司
• 主分類號: C04B35/453
• 分類號: C04B35/453;C04B35/622;C04B35/645
• 代理公司: 南京知識律師事務所 32207
• 代理人: 汪旭東

1.一種制備直流氧化鋅壓敏電阻片高溫加壓法,其特征在于,工藝流程為,

第一步,準備好原料,?ZnO：84-96%，：1.0?-5.4%，Cr₂O₃：0.1-1.3%，：0.1-1.7%，WO₃：0.05-0.8?%，SiO₂：0.2-0.7%，Fe₂O₃：0.5-0.9%，MnO₂：0.1-1.1%，B₂O₃：0.5-1.3%,百分比為摩爾百分比;

第二步,?按第一步配方的摩爾百分比稱取后，使用氧化鋯球、聚乙烯罐、無水乙醇，在變頻行星式球磨機中濕磨10-12h，轉速設定為450rpm，氧化鋯球：無水乙醇：粉體質量比為15:3:1，粉磨后的漿料放置在90℃烘箱中烘干15h；

第三步,?將第二步制取的干粉，使用氧化鋯球、聚乙烯罐，在變頻行星式球磨機中干磨4-5h，轉速設定為450rpm，氧化鋯球：粉體質量比為15:1；

第四步,?將第三步制取的粉末，加入1-2%的PVA，充分混合后，填裝入口徑一定的直筒形剛玉管中，剛玉管為一邊帶底式；

第五步,?將第四步的填充好原料的剛玉管，以3℃/分鐘-8℃/分鐘的升溫速度加熱至650-750℃，空氣氣氛保溫60-120分鐘，隨爐冷卻；

第六步，將第五步加熱完畢的剛玉管放置于密封加熱爐內，將爐體內抽真空至5-15Pa，然后充入純氧氣，壓力為3-4MPa，以3℃/分鐘-15℃/分鐘的升溫速度升溫加熱，使溫度達到1250-1400℃，保溫30-180分鐘，隨爐冷卻；

第七步，將外層剛玉管去除，而獲得氧化鋅壓敏陶瓷棒材，截取所需厚度的片狀，然后被銀電極，側面涂布高阻層，從而制得所需的氧化鋅電阻片。

2.如權利要求所述的制備直流氧化鋅壓敏電阻片高溫加壓法，其特征在于：所述第一步中的原料為ZnO：91.0%，：4.2%，Cr₂O₃：0.6%，：0.8%，WO₃：0.1?%，SiO₂：0.3%，Fe₂O₃：0.8%，MnO₂：1.0%，B₂O₃：1.2%，百分比為摩爾百分比。

3.如權利要求所述的制備直流氧化鋅壓敏電阻片高溫加壓法，其特征在于：所述第一步中的原料為ZnO：90.5%，：4.7%，Cr₂O₃：0.6%，：0.7%，WO₃：0.1?%，SiO₂：0.3%，Fe₂O₃：0.8%，MnO₂：1.0%，B₂O₃：1.3%，百分比為摩爾百分比。

4.如權利要求所述的制備直流氧化鋅壓敏電阻片高溫加壓法，其特征在于：所述第一步中的原料為，ZnO：90.4%，：5.1%，Cr₂O₃：0.4%，：0.8%，WO₃：0.1?%，SiO₂：0.3%，Fe₂O₃：0.9%，MnO₂：0.8%，B₂O₃：1.2%，百分比為摩爾百分比。

5.如權利要求1-4任一權利要求所述的制備直流氧化鋅壓敏電阻片高溫加壓法，其特征在于：所述第二步中，用氧化鋯球、聚乙烯罐、無水乙醇，在變頻行星式球磨機中濕磨為10h。

6..如權利要求1-4任一權利要求所述的制備直流氧化鋅壓敏電阻片高溫加壓法，其特征在于：所述第三步中，在變頻行星式球磨機中干磨為4h。

7.如權利要求1-4任一權利要求所述的制備直流氧化鋅壓敏電阻片高溫加壓法，其特征在于：所述第四步中，加入2%的PVA。

8.如權利要求1-4任一權利要求所述的制備直流氧化鋅壓敏電阻片高溫加壓法，其特征在于：所述第五步中，以7℃/分鐘的升溫速度加熱至720℃，空氣氣氛保溫90分鐘，隨爐冷卻。