[發明專利]薄膜沉積系統

無效

• 申請號: 201210310716.2
• 申請日: 2012-08-28
• 公開（公告）號: CN102899719A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 于伯淵;劉恒
• 申請（專利權）人: 綠種子材料科技股份有限公司
• 主分類號: C30B25/00
• 分類號: C30B25/00;C30B25/12;C23C16/458;C23C16/44
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;鮑俊萍

技術領域

本發明涉及一種薄膜沉積系統，尤其涉及一種利用摩擦力帶動承載器自轉的薄膜沉積系統。

背景技術

薄膜沉積已被廣泛應用于多種物體的表面處理，例如寶石、餐具、工具、模具、及/或半導體元件，同質或異質的薄膜形成于物體表面，用以提高耐磨、耐熱及/或耐蝕等特性。薄膜沉積技術通常分為兩大類，即物理氣相沉積(PVD)與化學氣相沉積(CVD)。

依沉積技術及工藝參數的不同，沉積的薄膜可具有單晶、多晶或非晶結構。單晶薄膜經常做為集成電路工藝中非常重要的磊晶層。例如，以半導體制作磊晶層，并于成形期間植入摻雜物，以產出具有精確摻雜物且不含氧及/或碳等雜質。

化學氣相沉積技術中，包含有一種稱為金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)的技術。在MOCVD技術中，一種或多種反應氣體用以攜帶一種或多種氣相反應物及/或前驅物(precursor)進入包含有一種或多種基板(一個或多個晶圓)的反應室?；宓谋趁嫱ǔＲ陨漕l感應或電阻的方式加熱，用以提高基板及其周圍的溫度，一種或多種化學反應將會產生，將一種或多種氣相的反應物及/或前驅物轉換為固態生成物并沉積于基板的表面。

以MOCVD形成薄膜的工藝質量的優良與否，取決于反應器(reactor)內部氣體流動的穩定性、溫度的控制與導入反應氣體的方式等因素，各參數對于沉積物的均勻性(uniformity)的影響重大。

一般來說，基板旋轉裝置可以帶動晶圓旋轉，借此提高晶圓上方氣體濃度均勻性，得到一致的薄膜厚度。借由旋轉晶圓也可以提高下方受熱均勻性，得到較佳的薄膜質量。

發明內容

為實現上述目的，本發明提供一種薄膜沉積系統，包含：一載盤；一中心盤，設置于載盤的中心位置，中心盤的周緣具有一中心斜面；及至少一承載器，設置于該載盤上并位于中心盤外圍，分別用以承載至少一基板，該至少一承載器的周緣具有一承載斜面與中心斜面接觸。

其中，當載盤旋轉帶動至少一承載器對載盤的一載盤中心軸進行一公轉以及當中心盤固定不旋轉時，在承載斜面與中心斜面接觸下，使得至少一承載器同時進行一自轉。

其中，當該載盤帶動該至少一承載器對該載盤的一載盤中心軸進行一公轉時，可借由控制該中心盤一旋轉方向與速度，在該承載斜面與該中心斜面接觸下，調整該至少一承載器的一自轉方向與速度。

其中，當該載盤固定不旋轉與該中心盤旋轉時，在該承載斜面與該中心斜面接觸下，使得該至少一承載器進行一自轉。

其中，至少一承載器中，只有一個承載器的承載斜面與中心斜面接觸，且任兩個承載器的該些承載斜面相互接觸并以相反的方向旋轉。

其中，至少一承載器中，任兩個承載器的該些承載斜面相互接觸并以相反方向旋轉，其中一個承載斜面接觸該中心斜面，另一承載斜面未接觸該中心斜面。

其中，中心斜面或承載斜面為一粗糙表面。

其中，中心斜面為半徑由上往下增加的態樣，承載斜面為半徑由上往下縮小的態樣。

其中，中心斜面為半徑由上往下縮小的態樣，承載斜面為半徑由上往下增加的態樣。

其中，更包含一中心軸及至少一馬達，其中中心軸包含有一內層軸及一外層軸，分別連接中心盤及載盤，至少一馬達連接內層軸及一外層軸，可分別驅動中心盤及載盤旋轉。

其中，更包含有：一旋轉殼，連接載盤；一內齒輪，設于旋轉殼的底部；一驅動齒輪，與內齒輪嚙合；及一馬達，連接并驅動外齒輪。

其中，更包含一腔壁及一蓋體，其中蓋體與該腔壁結合并設有一第一扣合件，中心盤設有一第二扣合件；第一扣合件與第二扣合件可結合而將中心盤固定于蓋體下方。

其中，承載器以石墨制作。

本發明在于提供一種薄膜沉積系統，尤指一種利用摩擦力帶動承載器自轉的薄膜沉積系統，利用斜面構造相互帶動，不但可以增加摩擦面積，而且有地心引力或重力所造成下壓，運作后不會過度減少摩擦面積，此外此斜面摩擦后更增加硬度達到有效帶動承載器自轉效果，又簡化系統元件的構造，增加承載器配置的致密度，提高單位時間的產能。

以下結合附圖和具體實施例對本發明進行詳細描述，但不作為對本發明的限定。

附圖說明

圖1為本發明旋轉機構一實施例的示意圖。

圖2為如圖1所示旋轉機構一實施例的剖面圖。

圖3為本發明的旋轉機構另一實施例的剖面圖。

圖4為本發明薄膜沉積系統一實施例的剖面圖。

圖5為本發明旋轉機構另一實施例的示意圖。

圖6為本發明旋轉機構又一實施例的示意圖。