[發(fā)明專利]基板處理裝置及具有其的基板處理系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210310555.7
• 申請日: 2012-08-28
• 公開（公告）號(hào): CN102969214A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張錫弼;魏奎镕;金亨俊;白春金;樸海允
• 申請（專利權(quán)）人: 圓益IPS股份有限公司
• 主分類號(hào): H01J37/317
• 分類號(hào): H01J37/317;H01L21/67
• 代理公司: 北京青松知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11384
• 代理人: 鄭青松;孫楓

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種基板處理裝置，更詳細(xì)地說是將離子束照射到基板上來執(zhí)行基板處理的基板處理裝置及具有其的基板處理系統(tǒng)。

背景技術(shù)

形成半導(dǎo)體區(qū)域的方法大體分為熱擴(kuò)散法與離子注入法。

還有，形成半導(dǎo)體區(qū)域適用于半導(dǎo)體基板、LCD面板用基板、OLED面板用基板或太陽能電池基板等的制造。具體地說，形成半導(dǎo)體區(qū)域適用于半導(dǎo)體基板中形成半導(dǎo)體層，LCD面板用基板及OLED面板用基板中形成TFT層、形成LTPS（low?temperature?poly-silicone）等多種工序中。

另一方面，通過熱擴(kuò)散法對(duì)在p型硅基板中形成n型半導(dǎo)體層進(jìn)行說明是，對(duì)基板進(jìn)行加熱使磷（P）元素從p型硅基板的表面滲入，將表面n型化來形成pn接合構(gòu)造。

但是，通過熱擴(kuò)散法注入不純物時(shí)，為了注入不純物進(jìn)行POCl₃蒸鍍時(shí)，會(huì)形成不均勻地?fù)诫s，因此工序的均勻度會(huì)低下，使用POCl₃時(shí)，因?yàn)槿コ翦兒笤诨灞砻嫘纬勺鳛楦碑a(chǎn)物PSG膜、去除側(cè)面半導(dǎo)體構(gòu)造（Edge?isolation）等工序的復(fù)雜導(dǎo)致工序時(shí)間變長，因此存在生產(chǎn)性低下的問題。

與其相比，離子注入法是將離子束直接照射到基板上并注入，因此與熱擴(kuò)散法相比，其控制變得容易并且可以精密地注入不純物，因此，近期被廣泛使用著。

作為離子注入法的一例，是將磷元素在真空中離子化后，通過電場進(jìn)行加速，以離子束的形態(tài)注入到p型硅基板的表面上，將表面層n型化來形成pn接合構(gòu)造的方法。

如上所述的為了對(duì)基板的表面照射離子的基板處理裝置一般會(huì)將基板安置在與外部密閉的規(guī)定反應(yīng)室內(nèi)，將離子束源中發(fā)生的離子束照射到基板上，由此來形成基板的接合層。

另一方面，如上所述的為了對(duì)基板表面照射離子的基板處理裝置一般為，離子束源、與離子束源中發(fā)生的離子束對(duì)安置在密閉的處理空間內(nèi)的臺(tái)上的基板進(jìn)行離子照射的構(gòu)成。

但是，如上所述的以往的基板處理裝置，因?yàn)閮H通過單一的離子數(shù)源執(zhí)行離子照射工序，會(huì)在離子照射格局上受到限制，因此存在很難大量處理離子照射的問題。

此外，為了執(zhí)行多種格局的離子照射工序，需要通過多個(gè)基板處理裝置執(zhí)行，因此會(huì)存在其處理復(fù)雜、裝置昂貴且裝置占有的空間變大的問題。

特別是為了制造太陽能電池基板，在基板表面形成選擇性發(fā)射極（Selective?Emitter）時(shí)，需要在設(shè)置有掩模的基板處理裝置中執(zhí)行一次離子照射工序后，去掉基板處理裝置的掩模后，或在沒有設(shè)置掩模的其他基板處理裝置中執(zhí)行二次離子照射工序，因此存在其處理復(fù)雜、裝置昂貴且裝置占有的空間變大的問題。

此外，以往的基板處理裝置是在固定住基板的狀態(tài)下，移動(dòng)離子束來形成離子注入，因此離子注入后更換基板、為了移動(dòng)離子束的裝置等裝置復(fù)雜、消耗大量的工序時(shí)間，因此存在生產(chǎn)性低下的問題。

發(fā)明內(nèi)容

（要解決的技術(shù)問題）

為了解決如上所述的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種基板處理裝置及具有其的基板處理系統(tǒng)，通過移送安置至少一個(gè)以上基板的托盤來對(duì)基板照射離子束，由此可以執(zhí)大量地行對(duì)基板的離子照射。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種基板處理裝置及具有其的基板處理系統(tǒng)，在一個(gè)工序室中設(shè)置2個(gè)以上的對(duì)基板照射離子束的離子束照射部，由此可以執(zhí)行多種離子照射工序。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種基板處理裝置及具有其的基板處理系統(tǒng)，通過移送安置至少一個(gè)以上基板的托盤來對(duì)基板照射離子束，將在離子束照射的離子束照射區(qū)域中托盤的移送速度設(shè)置成與將托盤導(dǎo)入或排出時(shí)的移送速度不同的速度，由此可以通過效率性的托盤移送來加快工序速度。

（解決問題的手段）

本發(fā)明是為了達(dá)成如上所述的目的而創(chuàng)作的，本發(fā)明公開基板處理裝置，包括：工序室，設(shè)置有移送安置一個(gè)以上基板的托盤的移送路徑；一個(gè)以上的離子束照射部，根據(jù)所述移送路徑，對(duì)移送的基板照射離子束。

所述離子照射部包括：根據(jù)所述移送路徑依次安置的第一離子束照射部及第二離子束照射部，所述第二離子束照射部為了在基板表面的部分區(qū)域照射離子，可以設(shè)置有一個(gè)以上的具有開放部的掩模。

所述第一離子束照射部及所述第二離子束照射部可以照射同種的離子束。

所述第一離子束照射部及所述第二離子束照射部可以照射相互不同種的離子束。