[發(fā)明專利]基板處理裝置及具有其的基板處理系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210310555.7
• 申請(qǐng)日: 2012-08-28
• 公開（公告）號(hào): CN102969214A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張錫弼;魏奎镕;金亨俊;白春金;樸海允
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 圓益IPS股份有限公司
• 主分類號(hào): H01J37/317
• 分類號(hào): H01J37/317;H01L21/67
• 代理公司: 北京青松知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11384
• 代理人: 鄭青松;孫楓

1.一種基板處理裝置，其特征在于，包括：

工序室，設(shè)置有移送路徑來移送安置有一個(gè)以上基板的托盤；

一個(gè)以上的離子束照射部，對(duì)根據(jù)所述移送路徑移送過來的基板照射離子束。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述離子束照射部包括根據(jù)所述路徑依次安置的第一離子束照射部及第二離子束照射部；

所述第二離子束照射部設(shè)置有具有一個(gè)以上開放部的掩模，來使基板表面的部分區(qū)域照射到離子。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述第一離子束照射部及所述第二離子束照射部照射同種的離子束。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述第一離子束照射部及所述第二離子束照射部照射相互不同種的離子束。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述第一離子束照射部上追加設(shè)置有不重疊或至少一部分不重疊于，設(shè)置于所述第二離子束照射部的掩模開口部的形成一個(gè)以上開口部的掩模，

所述第一離子束照射部及所述第二離子束照射部照射相互不同種的離子束。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述移送路徑上，以托盤的移送方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，安置基板的托盤長度設(shè)為L時(shí)，

所述第一離子束照射部的離子束照射區(qū)域會(huì)與所述第二離子束照射部的離子束照射區(qū)域相隔大于L的距離進(jìn)行定位。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述工序室中，在所述移送路徑的一端形成導(dǎo)入托盤的第一閘門，在所述移送路徑的另一端形成排出托盤的第二閘門，

所述第一離子束照射部及所述第二離子束照射部中的任意一個(gè)的離子束照射區(qū)域會(huì)與所述第一閘門、剩下一個(gè)的離子束照射區(qū)域會(huì)與所述第二閘門具有大于L的距離。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述工序室中，會(huì)在所述移送路徑的一端形成導(dǎo)入托盤的第一閘門，在所述移送路徑的另一端形成排出托盤的第二閘門，

所述第一離子束照射部及所述第二離子束照射部中，分別與所述第一閘門及所述第二閘門最近的各離子束照射區(qū)域，分別位于鄰接于所述第一閘門及所述第二閘門的位置。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述通過離子束照射區(qū)域的托盤的移送速度由，與所述導(dǎo)入到工序室或所述從工序室排出的托盤的移送速度不同的速度構(gòu)成。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述導(dǎo)入到工序室或所述從工序室排出的托盤的移送速度由，比所述通過離子束照射區(qū)域的托盤的移送速度更快的速度構(gòu)成。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述基板處理裝置包括驅(qū)動(dòng)所述移送部的一個(gè)驅(qū)動(dòng)部，

所述驅(qū)動(dòng)部將所述通過離子束照射區(qū)域的托盤的移送速度與所述導(dǎo)入到工序室或所述從工序室排出的托盤的移送速度控制成不同的速度。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，包括：

移送托盤通過所述離子束照射區(qū)域的第一驅(qū)動(dòng)部；與

移送導(dǎo)入到所述工序室或從所述工序室排出的托盤的一個(gè)以上的第二驅(qū)動(dòng)部。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

基板上照射得到離子束的區(qū)間上的所述托盤的移送速度由比至少在部分照射不到離子束區(qū)間上的所述托盤的移送速度慢的速度構(gòu)成。

14.一種基板處理系統(tǒng)，包括：

工序模塊，包括根據(jù)權(quán)利要求1之13中的任意一項(xiàng)的基板處理裝置；

裝載裝載鎖定模塊，結(jié)合于所述工序模塊的一側(cè)，內(nèi)部壓力以大氣壓及真空壓交替轉(zhuǎn)換來從外部接收安置一個(gè)以上基板的托盤，并將托盤傳達(dá)到所述工序模塊中；

卸載鎖定模塊，結(jié)合于所述工序模塊的另一側(cè)，內(nèi)部壓力以大氣壓及真空壓交替轉(zhuǎn)換來從所述工序模塊接收托盤并向外部排出。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，

追加設(shè)置熱處理模塊，結(jié)合于所述卸載鎖定模塊，對(duì)從所述卸載鎖定模塊傳達(dá)過來的托盤上的基板進(jìn)行熱處理。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，

追加設(shè)置第一緩沖模塊及第二緩沖模塊，分別在所述裝載鎖定模塊與所述工序模塊間、所述工序模塊與所述卸載鎖定模塊間，臨時(shí)儲(chǔ)存移送過來的托盤并使內(nèi)部壓力維持在大氣壓與所述工序模塊的工序壓之間的壓力。